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品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
DMG4800LK3-13 授权代理品牌	DMG4800LK3-13 VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+5：￥1.429435 +25：￥1.393665 +50：￥1.35801 +100：￥1.32224 +200：￥1.298392	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
DMG4800LK3-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 10A TO252 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥1.653089	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 17 毫欧 9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.6V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.7 nC 5 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 798 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.71W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMG4800LK3-13 授权代理品牌	DMG4800LK3-13 VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥1.539178 +50：￥1.462196 +200：￥1.410913 +2500：￥1.398063	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

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	DMG4800LK3-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 10A TO252 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 17 毫欧 9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.6V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.7 nC 5 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 798 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.71W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	DMG4800LK3-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 10A TO252 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥1.139963 +5000：￥1.082033 +12500：￥1.004753 +25000：￥0.981557	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 17 毫欧 9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.6V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.7 nC 5 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 798 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.71W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
DMG4800LK3-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 10A TO252 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥2.788652 +5000：￥2.646938 +12500：￥2.457893 +25000：￥2.40115	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 17 毫欧 9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.6V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.7 nC 5 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 798 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.71W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMG4800LK3-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 10A TO252 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥8.269007 +10：￥7.071427 +100：￥4.915783 +500：￥3.837961 +1000：￥3.119555	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： TO-252-3
DMG4800LK3-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 10A TO252 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥8.269007 +10：￥7.071427 +100：￥4.915783 +500：￥3.837961 +1000：￥3.119555	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： TO-252-3

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMG4800LK3-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 10A TO252 下载数据手册晶体管	+1：￥9.452676 +10：￥8.099966 +100：￥6.062751 +500：￥4.758933 +1000：￥3.683284	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 17 毫欧 9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.6V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.7 nC 5 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 798 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.71W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMG4800LK3-13 DIODES(美台) 授权代理品牌	下载数据手册未分类	+2500：￥1.473296	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

DMG4800LK3-13参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	10A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	17 毫欧 9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.6V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	8.7 nC 5 V
Vgs（最大值）:	±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	798 pF 10 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	1.71W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	TO-252-3
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
温度:	-55°C # 150°C（TJ）