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自营现货库存

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	DMN1004UFV-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 12V 70A POWERDI3333 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.326889 +10：￥5.256017 +30：￥4.720581	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 12 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 70A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.8 毫欧 15A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 47 nC 8 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2385 pF 6 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.9W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI3333-8（UX 类）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN1004UFV-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 12V 70A POWERDI3333 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 12 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 70A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.8 毫欧 15A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 47 nC 8 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2385 pF 6 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.9W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI3333-8（UX 类）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN1004UFV-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 12V 70A POWERDI3333 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2000：￥1.270887	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 12 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 70A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.8 毫欧 15A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 47 nC 8 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2385 pF 6 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.9W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI3333-8（UX 类）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
DMN1004UFV-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 12V 70A POWERDI3333 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2000：￥2.638097 +4000：￥2.461245	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 12 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 70A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.8 毫欧 15A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 47 nC 8 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2385 pF 6 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.9W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI3333-8（UX 类）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMN1004UFV-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 12V 70A POWERDI3333 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥12.697868 +10：￥7.878798 +100：￥5.103624 +500：￥3.908497 +1000：￥3.523123	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： PowerDI3333-8
DMN1004UFV-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 12V 70A POWERDI3333 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥12.697868 +10：￥7.878798 +100：￥5.103624 +500：￥3.908497 +1000：￥3.523123	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： PowerDI3333-8

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN1004UFV-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 12V 70A POWERDI3333 下载数据手册未分类	+1：￥9.294218 +10：￥7.924543 +100：￥5.511308 +500：￥4.30469 +1000：￥3.505714	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 12 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 70A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.8 毫欧 15A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 47 nC 8 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2385 pF 6 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.9W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI3333-8（UX 类）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN1004UFV-7 Diodes Zetex 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 12V 70A 8-Pin PowerDI EP T/R 下载数据手册未分类	+2000：￥2.089884	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN1004UFV-7 DIODES(美台) 授权代理品牌	场效应管, MOSFET, N沟道, 12V, 70A, POWERDI 3333 下载数据手册未分类	+1：￥5.280337 +10：￥4.626831 +100：￥3.463587 +500：￥2.73166 +1000：￥2.104292	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN1004UFV-7 DIODES(美台) 授权代理品牌	MOSFET, N-CH, 12V, 70A, POWERDI 3333 下载数据手册未分类	+1：￥5.481214 +10：￥4.803624 +100：￥3.581545 +500：￥2.819249 +1000：￥2.177966	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

DMN1004UFV-7参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	12 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	70A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	3.8 毫欧 15A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	47 nC 8 V
Vgs（最大值）:	±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	2385 pF 6 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	1.9W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PowerDI3333-8（UX 类）
封装/外壳:	8-PowerVDFN
温度:	-55°C # 150°C（TJ）