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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP56D0UFB-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 50V 200MA 3DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+20：￥1.6819 +100：￥1.1374 +800：￥0.8349 +3000：￥0.605 +6000：￥0.57475	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 50 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6 欧姆 100mA，4V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.58 nC 4 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50.54 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 425mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： X1-DFN1006-3 封装/外壳： 3-UFDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP56D0UFB-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 50V 200MA 3DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5：￥0.994272 +50：￥0.883142 +150：￥0.835499 +500：￥0.776055 +2500：￥0.74961	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 50 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6 欧姆 100mA，4V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.58 nC 4 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50.54 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 425mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： X1-DFN1006-3 封装/外壳： 3-UFDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	DMP56D0UFB-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 50V 200MA 3DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.228587 +200：￥0.847266 +1500：￥0.769937 +3000：￥0.71958	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 50 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6 欧姆 100mA，4V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.58 nC 4 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50.54 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 425mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： X1-DFN1006-3 封装/外壳： 3-UFDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	DMP56D0UFB-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 50V 200MA 3DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.572377 +6000：￥0.548606 +9000：￥0.493763 +30000：￥0.486403 +75000：￥0.457142	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 50 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6 欧姆 100mA，4V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.58 nC 4 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50.54 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 425mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： X1-DFN1006-3 封装/外壳： 3-UFDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
DMP56D0UFB-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 50V 200MA 3DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.34934 +6000：￥1.333276 +9000：￥1.236896 +15000：￥1.185645	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 50 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6 欧姆 100mA，4V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.58 nC 4 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50.54 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 425mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： X1-DFN1006-3 封装/外壳： 3-UFDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMP56D0UFB-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 50V 200MA 3DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.272441 +10：￥4.497799 +100：￥2.362109 +500：￥2.040227 +1000：￥1.670611	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 3-UFDFN 供应商器件封装： 3-DFN1006 (1.0x0.6)
DMP56D0UFB-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 50V 200MA 3DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.272441 +10：￥4.497799 +100：￥2.362109 +500：￥2.040227 +1000：￥1.670611	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 3-UFDFN 供应商器件封装： 3-DFN1006 (1.0x0.6)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP56D0UFB-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 50V 200MA 3DFN 下载数据手册晶体管	+1：￥6.798986 +10：￥4.875372 +100：￥2.570349 +500：￥2.155776 +1000：￥1.757787	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 50 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6 欧姆 100mA，4V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.58 nC 4 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50.54 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 425mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： X1-DFN1006-3 封装/外壳： 3-UFDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP56D0UFB-7 Diodes Zetex 授权代理品牌	Trans MOSFET P-CH 50V 0.2A 3-Pin X1-DFN T/R 下载数据手册未分类	+3000：￥1.131424 +6000：￥1.123685 +9000：￥1.043201 +15000：￥1.033914	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	DMP56D0UFB-7 Diodes Zetex 授权代理品牌	Trans MOSFET P-CH 50V 0.2A 3-Pin X1-DFN T/R 下载数据手册未分类	+846：￥1.829472 +1000：￥1.462648 +3000：￥1.219647 +6000：￥1.207265 +9000：￥1.120589	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

DMP56D0UFB-7参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	50 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	200mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	2.5V，4V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	6 欧姆 100mA，4V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.2V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	0.58 nC 4 V
Vgs（最大值）:	±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	50.54 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	425mW（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	X1-DFN1006-3
封装/外壳:	3-UFDFN
温度:	-55°C # 150°C（TJ）