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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN3070SSN-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 4.2A SC59 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+20：￥1.615229 +100：￥1.091783 +800：￥0.802835 +3000：￥0.582373 +6000：￥0.552849	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40 毫欧 4.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13.2 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 697 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 780mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-59-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN3070SSN-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 4.2A SC59 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.66099 +10：￥0.647659 +30：￥0.638699 +100：￥0.629848	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40 毫欧 4.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13.2 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 697 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 780mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-59-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN3070SSN-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 4.2A SC59 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.606544 +6000：￥0.581371 +9000：￥0.523199 +30000：￥0.515431 +75000：￥0.484476	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40 毫欧 4.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13.2 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 697 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 780mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-59-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
DMN3070SSN-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 4.2A SC59 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.483766 +6000：￥1.422187 +9000：￥1.279882 +30000：￥1.260881 +75000：￥1.185157	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40 毫欧 4.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13.2 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 697 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 780mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-59-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMN3070SSN-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 4.2A SC59 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.429283 +10：￥4.27199 +100：￥2.560336 +500：￥2.370311 +1000：￥1.611784	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： SC-59
DMN3070SSN-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 4.2A SC59 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.429283 +10：￥4.27199 +100：￥2.560336 +500：￥2.370311 +1000：￥1.611784	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： SC-59

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN3070SSN-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 4.2A SC59 下载数据手册未分类	+1：￥6.206487 +10：￥4.377207 +100：￥2.613258 +1000：￥1.845615 +3000：￥1.600621	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40 毫欧 4.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13.2 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 697 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 780mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-59-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN3070SSN-7 DIODES(美台) 授权代理品牌	下载数据手册未分类	+3000：￥0.867232 +9000：￥0.833988 +12000：￥0.825439 +30000：￥0.798842 +45000：￥0.772245	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	DMN3070SSN-7 DIODES(美台) 授权代理品牌	Single N-Channel 30 V 50 mOhm 6 nC 0.78 W Silicon Surface Mount Mosfet - SOT-23 下载数据手册未分类	+3000：￥0.719053 +9000：￥0.692457 +15000：￥0.680108 +60000：￥0.648762 +90000：￥0.628816	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN3070SSN-7 DIODES(美台) 授权代理品牌	DiodesZetex N沟道增强型MOS管, Vds=30 V, 5.1 A, SOT-346, 贴片安装, 3引脚, DMN3070SSN-7 下载数据手册未分类	+3000：￥1.004253 +6000：￥0.974436 +12000：￥0.944619	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

DMN3070SSN-7参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	4.2A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	40 毫欧 4.2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	13.2 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	697 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	780mW（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SC-59-3
封装/外壳:	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）