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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN3900UFA-7B Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 550MA 3DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10000：￥0.555017 +30000：￥0.509075 +50000：￥0.489932 +100000：￥0.484829	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 550mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 760 毫欧 200mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 950mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.7 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 42.2 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 390mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： X2-DFN0806-3 封装/外壳： 3-XFDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
DMN3900UFA-7B Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 550MA 3DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10000：￥1.357718 +30000：￥1.245332 +50000：￥1.198505 +100000：￥1.186018	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 550mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 760 毫欧 200mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 950mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.7 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 42.2 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 390mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： X2-DFN0806-3 封装/外壳： 3-XFDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMN3900UFA-7B Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 550MA 3DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.429241 +10：￥4.397685 +100：￥2.996941 +500：￥2.247164 +1000：￥1.685373	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 3-XFDFN 供应商器件封装： X2-DFN0806-3
DMN3900UFA-7B Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 550MA 3DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.429241 +10：￥4.397685 +100：￥2.996941 +500：￥2.247164 +1000：￥1.685373	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 3-XFDFN 供应商器件封装： X2-DFN0806-3

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN3900UFA-7B Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 550MA 3DFN 下载数据手册晶体管	+：￥ +：￥ +：￥ +：￥ +：￥	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 550mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 760 毫欧 200mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 950mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.7 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 42.2 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 390mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： X2-DFN0806-3 封装/外壳： 3-XFDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN3900UFA-7B 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 30V 0.55A 3-Pin X2-DFN T/R 下载数据手册未分类	+10000：￥1.26788	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	DMN3900UFA-7B 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 30V 0.55A 3-Pin X2-DFN T/R 下载数据手册未分类	+1：￥2.400121 +10：￥1.970355 +100：￥1.326421 +500：￥0.985177 +1000：￥0.839542	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

DMN3900UFA-7B参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	550mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	1.8V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	760 毫欧 200mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	950mV 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	0.7 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	42.2 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	390mW（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	X2-DFN0806-3
封装/外壳:	3-XFDFN
温度:	-55°C # 150°C（TJ）