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	DTD113ZKT146 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3 下载数据手册双极晶体管	+1：￥0.425675 +10：￥0.40991 +100：￥0.372072 +500：￥0.353153	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 500 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 1 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 10 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 82 50mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 2.5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 200 MHz 功率 - 最大值： 200 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装： SMT3 温度：

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	DTD113ZKT146 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3 下载数据手册双极晶体管	+20：￥1.126147 +100：￥0.761574 +800：￥0.558899 +3000：￥0.40535 +6000：￥0.385143	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 500 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 1 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 10 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 82 50mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 2.5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 200 MHz 功率 - 最大值： 200 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装： SMT3 温度：

自营现货库存

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	DTD113ZKT146 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3 下载数据手册双极晶体管	+5：￥0.79217 +50：￥0.657679 +150：￥0.590432 +500：￥0.539997 +2500：￥0.499649	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 500 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 1 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 10 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 82 50mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 2.5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 200 MHz 功率 - 最大值： 200 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装： SMT3 温度：

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	DTD113ZKT146 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3 下载数据手册双极晶体管	+1：￥0.498036	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 500 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 1 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 10 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 82 50mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 2.5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 200 MHz 功率 - 最大值： 200 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装： SMT3 温度：

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	DTD113ZKT146 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3 下载数据手册未分类	+1：￥1.346895 +30：￥0.441517 +100：￥0.364787 +500：￥0.344444 +1500：￥0.33148	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 500 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 1 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 10 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 82 50mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 2.5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 200 MHz 功率 - 最大值： 200 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装： SMT3 温度：

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	DTD113ZKT146 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3 下载数据手册	+1：￥3.716208 +100：￥2.148048 +1500：￥1.361808 +3000：￥0.984672	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 500 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 1 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 10 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 82 50mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 2.5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 200 MHz 功率 - 最大值： 200 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装： SMT3 温度：

Digi-Key

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	DTD113ZKT146 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3 下载数据手册双极晶体管	+3000：￥1.552766 +6000：￥1.458682 +15000：￥1.364601 +30000：￥1.331738	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 500 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 1 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 10 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 82 50mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 2.5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 200 MHz 功率 - 最大值： 200 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装： SMT3 温度：
	DTD113ZKT146 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3 下载数据手册双极晶体管	+1：￥5.300445 +10：￥4.29336 +100：￥2.925846 +500：￥2.19465 +1000：￥1.646054	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 晶体管类型： NPN - Pre-Biased 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： SMT3
	DTD113ZKT146 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3 下载数据手册双极晶体管	+1：￥5.300445 +10：￥4.29336 +100：￥2.925846 +500：￥2.19465 +1000：￥1.646054	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 晶体管类型： NPN - Pre-Biased 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： SMT3

Mouser

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	DTD113ZKT146 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3 下载数据手册未分类	+1：￥5.600753 +10：￥4.562565 +100：￥3.114565 +500：￥2.335923 +1000：￥1.748527	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 500 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 1 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 10 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 82 50mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 2.5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 200 MHz 功率 - 最大值： 200 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装： SMT3 温度：

DTD113ZKT146参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
晶体管类型:	NPN - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:	500 mA
电压 - 集射极击穿（最大值）:	50 V
电阻器 - 基极 (R1):	1 kOhms
电阻器 - 发射极 (R2):	10 kOhms
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:	82 50mA，5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）:	300mV 2.5mA，50mA
电流 - 集电极截止（最大值）:	500nA
频率 - 跃迁:	200 MHz
功率 - 最大值:	200 mW
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装:	SMT3
温度: