品牌： Rohm Semiconductor

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 500 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V

电阻器 - 基极 (R1)： -

电阻器 - 发射极 (R2)： 10 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 56 50mA，5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 2.5mA，50mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA（ICBO）

频率 - 跃迁： 200 MHz

功率 - 最大值： 200 mW

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装： SMT3

温度：

品牌： Rohm Semiconductor

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 500 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V

电阻器 - 基极 (R1)： -

电阻器 - 发射极 (R2)： 10 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 56 50mA，5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 2.5mA，50mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA（ICBO）

频率 - 跃迁： 200 MHz

功率 - 最大值： 200 mW

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装： SMT3

温度：

品牌： Rohm Semiconductor

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 500 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V

电阻器 - 基极 (R1)： -

电阻器 - 发射极 (R2)： 10 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 56 50mA，5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 2.5mA，50mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA（ICBO）

频率 - 跃迁： 200 MHz

功率 - 最大值： 200 mW

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装： SMT3

温度：

品牌： Rohm Semiconductor

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 500 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V

电阻器 - 基极 (R1)： -

电阻器 - 发射极 (R2)： 10 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 56 50mA，5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 2.5mA，50mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA（ICBO）

频率 - 跃迁： 200 MHz

功率 - 最大值： 200 mW

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装： SMT3

温度：

品牌： Rohm Semiconductor

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 500 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V

电阻器 - 基极 (R1)： -

电阻器 - 发射极 (R2)： 10 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 56 50mA，5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 2.5mA，50mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA（ICBO）

频率 - 跃迁： 200 MHz

功率 - 最大值： 200 mW

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装： SMT3

温度：

品牌： Rohm Semiconductor

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 500 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V

电阻器 - 基极 (R1)： -

电阻器 - 发射极 (R2)： 10 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 56 50mA，5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 2.5mA，50mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA（ICBO）

频率 - 跃迁： 200 MHz

功率 - 最大值： 200 mW

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装： SMT3

温度：

品牌： Rohm Semiconductor

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 500 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V

电阻器 - 基极 (R1)： -

电阻器 - 发射极 (R2)： 10 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 56 50mA，5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 2.5mA，50mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA（ICBO）

频率 - 跃迁： 200 MHz

功率 - 最大值： 200 mW

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装： SMT3

温度：