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Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
DTD713ZMT2L_双极晶体管
授权代理品牌

TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3

双极晶体管

+8000:

¥1.378644

+16000:

¥1.256942

+24000:

¥1.175906

+56000:

¥1.147571

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 200 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 30 V

电阻器 - 基极 (R1): 1 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): 10 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 140 100mA,2V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 2.5mA,50mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 260 MHz

功率 - 最大值: 150 mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-723

供应商器件封装: VMT3

温度:

DTD713ZMT2L_双极晶体管
授权代理品牌

TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3

双极晶体管

+1:

¥6.517069

+10:

¥4.944471

+100:

¥3.08144

+500:

¥2.108411

+1000:

¥1.6219

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

晶体管类型: NPN - Pre-Biased

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SOT-723

供应商器件封装: VMT3

DTD713ZMT2L_双极晶体管
授权代理品牌

TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3

双极晶体管

库存: 0

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系列: -

晶体管类型: NPN - Pre-Biased

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SOT-723

供应商器件封装: VMT3

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
DTD713ZMT2L_晶体管
DTD713ZMT2L
授权代理品牌

TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3

晶体管

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库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 200 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 30 V

电阻器 - 基极 (R1): 1 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): 10 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 140 100mA,2V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 2.5mA,50mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 260 MHz

功率 - 最大值: 150 mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-723

供应商器件封装: VMT3

温度:

DTD713ZMT2L参数规格

属性 参数值
品牌: Rohm Semiconductor
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: NPN - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 200 mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 30 V
电阻器 - 基极 (R1): 1 kOhms
电阻器 - 发射极 (R2): 10 kOhms
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 140 100mA,2V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 2.5mA,50mA
电流 - 集电极截止(最大值): 500nA
频率 - 跃迁: 260 MHz
功率 - 最大值: 150 mW
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOT-723
供应商器件封装: VMT3
温度: