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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN3065LW-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 4A SOT323 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+20：￥1.639913 +100：￥1.108965 +1000：￥0.814088 +10000：￥0.589875 +20000：￥0.560351	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 52 毫欧 4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11.7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 465 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 770mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-323 封装/外壳： SC-70，SOT-323 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMN3065LW-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 4A SOT323 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5：￥1.648141 +50：￥1.09868 +150：￥0.915607	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 52 毫欧 4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11.7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 465 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 770mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-323 封装/外壳： SC-70，SOT-323 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
DMN3065LW-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 4A SOT323 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10000：￥1.190479	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 52 毫欧 4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11.7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 465 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 770mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-323 封装/外壳： SC-70，SOT-323 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMN3065LW-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 4A SOT323 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.228022 +10：￥4.690894 +100：￥2.917894 +500：￥1.996944 +1000：￥1.536068	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SC-70, SOT-323 供应商器件封装： SOT-323
DMN3065LW-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 4A SOT323 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.228022 +10：￥4.690894 +100：￥2.917894 +500：￥1.996944 +1000：￥1.536068	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SC-70, SOT-323 供应商器件封装： SOT-323

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN3065LW-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 4A SOT323 下载数据手册未分类	+1：￥7.186459 +10：￥5.07952 +100：￥2.237602 +1000：￥1.616955 +2500：￥1.469957	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 52 毫欧 4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11.7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 465 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 770mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-323 封装/外壳： SC-70，SOT-323 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN3065LW-13 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-323 T/R 下载数据手册未分类	+1：￥5.753234 +10：￥4.337172 +25：￥4.292034 +100：￥2.647699 +250：￥2.621906	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

DMN3065LW-13参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	4A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	2.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	52 毫欧 4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	11.7 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	465 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	770mW（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SOT-323
封装/外壳:	SC-70，SOT-323
温度:	-55°C # 150°C（TJ）