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	DMN4020LFDE-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 8A 6UDFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥3.616085 +200：￥2.44541 +800：￥1.795035 +3000：￥1.30075 +6000：￥1.235773	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 20 毫欧 8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 19.1 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1060 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 660mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： U-DFN2020-6（E 类）封装/外壳： 6-PowerUDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

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	DMN4020LFDE-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 8A 6UDFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.583716 +10：￥2.520698 +30：￥2.478687 +100：￥2.447178	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 20 毫欧 8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 19.1 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1060 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 660mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： U-DFN2020-6（E 类）封装/外壳： 6-PowerUDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	DMN4020LFDE-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 8A 6UDFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.970783	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 20 毫欧 8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 19.1 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1060 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 660mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： U-DFN2020-6（E 类）封装/外壳： 6-PowerUDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	DMN4020LFDE-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 8A 6UDFN 下载数据手册未分类	+1：￥2.009221 +30：￥1.316433 +100：￥1.124608 +500：￥1.02237 +1500：￥0.973677	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 20 毫欧 8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 19.1 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1060 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 660mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： U-DFN2020-6（E 类）封装/外壳： 6-PowerUDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMN4020LFDE-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 8A 6UDFN 下载数据手册未分类	+1000：￥2.569627	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 20 毫欧 8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 19.1 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1060 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 660mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： U-DFN2020-6（E 类）封装/外壳： 6-PowerUDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	DMN4020LFDE-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 8A 6UDFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.008662	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 20 毫欧 8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 19.1 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1060 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 660mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： U-DFN2020-6（E 类）封装/外壳： 6-PowerUDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

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DMN4020LFDE-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 8A 6UDFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥2.467454	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 20 毫欧 8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 19.1 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1060 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 660mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： U-DFN2020-6（E 类）封装/外壳： 6-PowerUDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMN4020LFDE-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 8A 6UDFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.922282 +10：￥5.972165 +100：￥4.457407 +500：￥3.502133 +1000：￥2.706206	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 6-UDFN Exposed Pad 供应商器件封装： U-DFN2020-6 (Type E)
DMN4020LFDE-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 8A 6UDFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.922282 +10：￥5.972165 +100：￥4.457407 +500：￥3.502133 +1000：￥2.706206	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 6-UDFN Exposed Pad 供应商器件封装： U-DFN2020-6 (Type E)

Mouser

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	DMN4020LFDE-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 8A 6UDFN 下载数据手册未分类	+1：￥7.153402 +10：￥6.171562 +100：￥4.614645 +500：￥3.632806 +1000：￥2.805256	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 20 毫欧 8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 19.1 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1060 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 660mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： U-DFN2020-6（E 类）封装/外壳： 6-PowerUDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

DMN4020LFDE-7参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	8A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	20 毫欧 8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	19.1 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1060 pF 20 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	660mW（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	U-DFN2020-6（E 类）
封装/外壳:	6-PowerUDFN
温度:	-55°C # 150°C（TJ）