DMT36M1LPS-13厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

搜索 DMT36M1LPS-13 共 13 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMT36M1LPS-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 65A PWRDI5060-8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥6.651975 +200：￥4.498417 +800：￥3.30209 +2500：￥2.392775 +5000：￥2.273106	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 65A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16.7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1155 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.6W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI5060-8 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMT36M1LPS-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 65A PWRDI5060-8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.431472 +10：￥1.398691 +30：￥1.376836 +100：￥1.354981	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 65A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16.7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1155 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.6W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI5060-8 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMT36M1LPS-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 65A PWRDI5060-8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥3.428422 +7500：￥3.31104 +25000：￥3.223176 +27500：￥3.164484	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 65A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16.7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1155 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.6W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI5060-8 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMT36M1LPS-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 65A PWRDI5060-8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥1.091302 +5000：￥1.008375 +7500：￥0.965849 +12500：￥0.938832	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 65A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16.7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1155 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.6W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI5060-8 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
DMT36M1LPS-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 65A PWRDI5060-8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥2.669613 +5000：￥2.466753 +7500：￥2.362722 +12500：￥2.296632	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 65A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16.7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1155 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.6W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI5060-8 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMT36M1LPS-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 65A PWRDI5060-8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥9.179182 +10：￥6.134753 +100：￥4.185706 +500：￥3.290124 +1000：￥2.994249	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： PowerDI5060-8
DMT36M1LPS-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 65A PWRDI5060-8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥9.179182 +10：￥6.134753 +100：￥4.185706 +500：￥3.290124 +1000：￥2.994249	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： PowerDI5060-8

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMT36M1LPS-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 65A PWRDI5060-8 下载数据手册未分类	+1：￥8.623105 +10：￥6.649742 +100：￥4.543715 +500：￥3.681403 +1000：￥3.233665	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 65A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16.7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1155 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.6W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI5060-8 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMT36M1LPS-13 Diodes Zetex 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin PowerDI EP T/R 下载数据手册未分类	+2500：￥2.477988	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMT36M1LPS-13 DIODES(美台) 授权代理品牌	MOSFET, N-CH, 30V, 65A, POWERDI 5060 下载数据手册未分类	+1：￥5.365046 +10：￥4.537726 +100：￥3.158861 +500：￥2.469427 +1000：￥2.406749	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

DMT36M1LPS-13参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	65A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	6 毫欧 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	16.7 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1155 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.6W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PowerDI5060-8
封装/外壳:	8-PowerTDFN
温度:	-55°C # 150°C（TJ）