DMN30H4D0LFDE-7厂家价格_数据手册

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN30H4D0LFDE-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 300V 550MA 6UDFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.650039 +10：￥4.43344 +30：￥3.694493	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 300 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 550mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.7V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4 欧姆 300mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.8V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7.6 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 187.3 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 630mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： U-DFN2020-6（E 类）封装/外壳： 6-PowerUDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN30H4D0LFDE-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 300V 550MA 6UDFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.476463 +10：￥2.867294 +30：￥2.615225 +100：￥2.289634 +500：￥2.142594	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 300 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 550mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.7V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4 欧姆 300mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.8V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7.6 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 187.3 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 630mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： U-DFN2020-6（E 类）封装/外壳： 6-PowerUDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
DMN30H4D0LFDE-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 300V 550MA 6UDFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥2.834799 +6000：￥2.651815	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 300 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 550mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.7V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4 欧姆 300mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.8V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7.6 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 187.3 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 630mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： U-DFN2020-6（E 类）封装/外壳： 6-PowerUDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMN30H4D0LFDE-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 300V 550MA 6UDFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥7.943731 +10：￥6.856694 +100：￥5.120223 +500：￥4.02343 +1000：￥3.109065	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 6-UDFN Exposed Pad 供应商器件封装： U-DFN2020-6 (Type E)
DMN30H4D0LFDE-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 300V 550MA 6UDFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥7.943731 +10：￥6.856694 +100：￥5.120223 +500：￥4.02343 +1000：￥3.109065	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 6-UDFN Exposed Pad 供应商器件封装： U-DFN2020-6 (Type E)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN30H4D0LFDE-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 300V 550MA 6UDFN 下载数据手册未分类	+1：￥7.975115 +10：￥6.883783 +100：￥5.148846 +500：￥4.043523 +1000：￥3.13408	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 300 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 550mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.7V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4 欧姆 300mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.8V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7.6 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 187.3 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 630mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： U-DFN2020-6（E 类）封装/外壳： 6-PowerUDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

DMN30H4D0LFDE-7参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	300 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	550mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	2.7V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	4 欧姆 300mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.8V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	7.6 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	187.3 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	630mW（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	U-DFN2020-6（E 类）
封装/外壳:	6-PowerUDFN
温度:	-55°C # 150°C（TJ）