DMT10H010SPS-13厂家价格_数据手册

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMT10H010SPS-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFETN-CH 100VPOWERDI5060-8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥19.00547 +200：￥12.85262 +800：￥9.43437 +2500：￥6.8365 +5000：￥6.494675	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10.7A（Ta），113A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8.8 毫欧 13A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 56.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4468 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.2W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI5060-8 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	DMT10H010SPS-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFETN-CH 100VPOWERDI5060-8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥8.612267 +5000：￥8.253288 +8000：￥8.038085 +12000：￥7.894424	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10.7A（Ta），113A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8.8 毫欧 13A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 56.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4468 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.2W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI5060-8 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	DMT10H010SPS-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFETN-CH 100VPOWERDI5060-8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥3.18405	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10.7A（Ta），113A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8.8 毫欧 13A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 56.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4468 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.2W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI5060-8 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
DMT10H010SPS-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFETN-CH 100VPOWERDI5060-8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥7.78903	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10.7A（Ta），113A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8.8 毫欧 13A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 56.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4468 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.2W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI5060-8 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMT10H010SPS-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFETN-CH 100VPOWERDI5060-8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： PowerDI5060-8
DMT10H010SPS-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFETN-CH 100VPOWERDI5060-8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： PowerDI5060-8
DMT10H010SPS-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V PWRDI5060 下载数据手册未分类	+2500：￥7.032065 +5000：￥6.697164 +12500：￥6.388124	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tape & Reel (TR) Package / Case： 8-PowerTDFN Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 10.7A (Ta), 113A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 8.8mOhm @ 13A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 1.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id： 4V @ 250µA Supplier Device Package： PowerDI5060-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 6V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 56.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 4468 pF @ 50 V
DMT10H010SPS-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V PWRDI5060 下载数据手册未分类	+1：￥17.002229 +10：￥13.916111 +100：￥10.818563 +500：￥9.170059 +1000：￥7.469981	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Cut Tape (CT) Package / Case： 8-PowerTDFN Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 10.7A (Ta), 113A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 8.8mOhm @ 13A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 1.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id： 4V @ 250µA Supplier Device Package： PowerDI5060-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 6V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 56.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 4468 pF @ 50 V
DMT10H010SPS-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V PWRDI5060 下载数据手册未分类	+1：￥17.002229 +10：￥13.916111 +100：￥10.818563 +500：￥9.170059 +1000：￥7.469981	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Digi-Reel® Package / Case： 8-PowerTDFN Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 10.7A (Ta), 113A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 8.8mOhm @ 13A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 1.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id： 4V @ 250µA Supplier Device Package： PowerDI5060-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 6V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 56.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 4468 pF @ 50 V

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMT10H010SPS-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFETN-CH 100VPOWERDI5060-8 下载数据手册未分类	+1：￥19.436102 +10：￥15.908207 +100：￥12.380309 +500：￥10.485697 +1000：￥8.542087	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10.7A（Ta），113A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8.8 毫欧 13A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 56.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4468 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.2W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI5060-8 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

DMT10H010SPS-13参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	10.7A（Ta），113A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	8.8 毫欧 13A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	56.4 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	4468 pF 50 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	1.2W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PowerDI5060-8
封装/外壳:	8-PowerTDFN
温度:	-55°C # 150°C（TJ）