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	DMN2004K-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 630MA SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.496125 +10：￥0.441 +100：￥0.33075 +300：￥0.3087 +1000：￥0.297675	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 630mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 550 毫欧 540mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 150 pF 16 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 350mW（Ta）工作温度： -65°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -65°C # 150°C（TJ）

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	DMN2004K-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 630MA SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+20：￥0.899877 +100：￥0.608509 +800：￥0.446732 +3000：￥0.323675 +6000：￥0.307461	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 630mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 550 毫欧 540mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 150 pF 16 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 350mW（Ta）工作温度： -65°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -65°C # 150°C（TJ）

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	DMN2004K-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 630MA SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.320892	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 630mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 550 毫欧 540mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 150 pF 16 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 350mW（Ta）工作温度： -65°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -65°C # 150°C（TJ）

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DMN2004K-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 630MA SOT23-3 下载数据手册未分类	+3000：￥0.286458	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 630mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 550 毫欧 540mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 150 pF 16 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 350mW（Ta）工作温度： -65°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -65°C # 150°C（TJ）
DMN2004K-7 VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	DMN2004K-7 VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥0.250323 +1000：￥0.237464 +45000：￥0.231036 +69000：￥0.224712 +99000：￥0.216068	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
DMN2004K-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 630MA SOT23-3 下载数据手册未分类	+5：￥3.641002 +100：￥2.242433 +500：￥1.520286 +1000：￥1.117458	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 630mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 550 毫欧 540mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 150 pF 16 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 350mW（Ta）工作温度： -65°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -65°C # 150°C（TJ）
DMN2004K-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 630MA SOT23-3 下载数据手册未分类	+3000：￥0.354833 +9000：￥0.351593 +15000：￥0.348352 +60000：￥0.345001 +90000：￥0.34176	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 630mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 550 毫欧 540mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 150 pF 16 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 350mW（Ta）工作温度： -65°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -65°C # 150°C（TJ）
DMN2004K-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 630MA SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.317652 +100：￥0.307064 +500：￥0.30177	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 630mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 550 毫欧 540mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 150 pF 16 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 350mW（Ta）工作温度： -65°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -65°C # 150°C（TJ）
DMN2004K-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 630MA SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.597705 +50：￥0.408843 +1500：￥0.36973 +3000：￥0.332454 +18000：￥0.32716	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 630mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 550 毫欧 540mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 150 pF 16 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 350mW（Ta）工作温度： -65°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -65°C # 150°C（TJ）

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	DMN2004K-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 630MA SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.480781 +6000：￥0.45407 +15000：￥0.413977 +30000：￥0.387325 +75000：￥0.347231	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 630mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 550 毫欧 540mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 150 pF 16 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 350mW（Ta）工作温度： -65°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -65°C # 150°C（TJ）

DMN2004K-7参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	630mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	1.8V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	550 毫欧 540mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	-
Vgs（最大值）:	±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	150 pF 16 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	350mW（Ta）
工作温度:	-65°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SOT-23-3
封装/外壳:	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
温度:	-65°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
DMN2004K-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 630MA SOT23-3 下载数据手册未分类	+3000：￥0.286458	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 630mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 550 毫欧 540mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 150 pF 16 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 350mW（Ta）工作温度： -65°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -65°C # 150°C（TJ）
DMN2004K-7 VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	DMN2004K-7 VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥0.250323 +1000：￥0.237464 +45000：￥0.231036 +69000：￥0.224712 +99000：￥0.216068	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
DMN2004K-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 630MA SOT23-3 下载数据手册未分类	+5：￥3.641002 +100：￥2.242433 +500：￥1.520286 +1000：￥1.117458	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 630mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 550 毫欧 540mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 150 pF 16 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 350mW（Ta）工作温度： -65°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -65°C # 150°C（TJ）
DMN2004K-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 630MA SOT23-3 下载数据手册未分类	+3000：￥0.354833 +9000：￥0.351593 +15000：￥0.348352 +60000：￥0.345001 +90000：￥0.34176	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 630mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 550 毫欧 540mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 150 pF 16 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 350mW（Ta）工作温度： -65°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -65°C # 150°C（TJ）
DMN2004K-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 630MA SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.317652 +100：￥0.307064 +500：￥0.30177	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 630mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 550 毫欧 540mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 150 pF 16 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 350mW（Ta）工作温度： -65°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -65°C # 150°C（TJ）
DMN2004K-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 630MA SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.597705 +50：￥0.408843 +1500：￥0.36973 +3000：￥0.332454 +18000：￥0.32716	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 630mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 550 毫欧 540mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 150 pF 16 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 350mW（Ta）工作温度： -65°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -65°C # 150°C（TJ）