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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN3404L-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT-23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.782621 +30：￥0.753206 +100：￥0.694377 +500：￥0.635559 +1000：￥0.606144	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 3V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 28 毫欧 5.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9.2 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 386 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 720mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	DMN3404L-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT-23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+20：￥0.81675 +100：￥0.551397 +800：￥0.403898 +3000：￥0.294998 +6000：￥0.280236	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 3V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 28 毫欧 5.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9.2 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 386 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 720mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMN3404L-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT-23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥0.643841 +100：￥0.536514 +300：￥0.429187 +3000：￥0.357676	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 3V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 28 毫欧 5.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9.2 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 386 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 720mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	DMN3404L-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT-23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.319803	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 3V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 28 毫欧 5.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9.2 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 386 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 720mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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DMN3404L-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT-23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.025844 +10：￥1.89619 +30：￥1.815156 +100：￥1.750329 +500：￥1.701709	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 3V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 28 毫欧 5.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9.2 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 386 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 720mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMN3404L-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT-23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.470111 +1500：￥0.295078 +3000：￥0.268801	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 3V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 28 毫欧 5.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9.2 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 386 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 720mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMN3404L-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT-23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.316726 +5000：￥0.313948 +6000：￥0.308391	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 3V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 28 毫欧 5.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9.2 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 386 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 720mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMN3404L-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT-23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.326913 +9000：￥0.318694 +15000：￥0.313137 +21000：￥0.313137	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 3V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 28 毫欧 5.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9.2 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 386 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 720mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMN3404L-7 UDU SEMICONDUTOR 授权代理品牌	DMN3404L-7 UDU SEMICONDUTOR 下载数据手册未分类	+3000：￥0.134285 +6000：￥0.118773 +9000：￥0.101871	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
DMN3404L-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT-23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+100：￥0.255604 +300：￥0.249121 +500：￥0.244838 +700：￥0.244838	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 3V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 28 毫欧 5.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9.2 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 386 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 720mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

DMN3404L-7参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	5.8A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	3V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	28 毫欧 5.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	9.2 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	386 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	720mW（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SOT-23-3
封装/外壳:	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
DMN3404L-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT-23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.025844 +10：￥1.89619 +30：￥1.815156 +100：￥1.750329 +500：￥1.701709	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 3V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 28 毫欧 5.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9.2 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 386 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 720mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMN3404L-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT-23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.470111 +1500：￥0.295078 +3000：￥0.268801	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 3V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 28 毫欧 5.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9.2 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 386 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 720mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMN3404L-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT-23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.316726 +5000：￥0.313948 +6000：￥0.308391	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 3V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 28 毫欧 5.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9.2 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 386 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 720mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMN3404L-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT-23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.326913 +9000：￥0.318694 +15000：￥0.313137 +21000：￥0.313137	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 3V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 28 毫欧 5.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9.2 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 386 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 720mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMN3404L-7 UDU SEMICONDUTOR 授权代理品牌	DMN3404L-7 UDU SEMICONDUTOR 下载数据手册未分类	+3000：￥0.134285 +6000：￥0.118773 +9000：￥0.101871	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
DMN3404L-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT-23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+100：￥0.255604 +300：￥0.249121 +500：￥0.244838 +700：￥0.244838	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 3V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 28 毫欧 5.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9.2 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 386 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 720mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）