DMN2053UW-7厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN2053UW-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 8V~24V SOT323 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+20：￥1.00914 +100：￥0.68244 +800：￥0.50094 +3000：￥0.363 +6000：￥0.34485	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.9A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 56 毫欧 2A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.6 nC 4.25 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 369 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 470mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型： - 供应商器件封装： - 封装/外壳： - 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

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	DMN2053UW-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 8V~24V SOT323 下载数据手册	+1：￥0.966692 +10：￥0.796948 +30：￥0.724276 +100：￥0.651499 +500：￥0.603016	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.9A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 56 毫欧 2A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.6 nC 4.25 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 369 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 470mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型： - 供应商器件封装： - 封装/外壳： - 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	DMN2053UW-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 8V~24V SOT323 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.461988 +6000：￥0.423128 +15000：￥0.365907 +30000：￥0.359073 +75000：￥0.297335	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.9A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 56 毫欧 2A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.6 nC 4.25 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 369 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 470mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型： - 供应商器件封装： - 封装/外壳： - 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
DMN2053UW-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 8V~24V SOT323 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.130146 +6000：￥1.035082 +15000：￥0.895105 +30000：￥0.878387 +75000：￥0.727361	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.9A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 56 毫欧 2A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.6 nC 4.25 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 369 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 470mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型： - 供应商器件封装： - 封装/外壳： - 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMN2053UW-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 8V~24V SOT323 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.950369 +10：￥4.476944 +25：￥3.915909 +100：￥2.126548 +250：￥2.11493	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： - 封装/外壳： - 供应商器件封装： -
DMN2053UW-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 8V~24V SOT323 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： - 封装/外壳： - 供应商器件封装： -

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN2053UW-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 8V~24V SOT323 下载数据手册晶体管	+：￥ +：￥ +：￥ +：￥ +：￥	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.9A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 56 毫欧 2A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.6 nC 4.25 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 369 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 470mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型： - 供应商器件封装： - 封装/外壳： - 温度： -55°C # 150°C（TJ）

DMN2053UW-7参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	2.9A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	1.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	56 毫欧 2A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	3.6 nC 4.25 V
Vgs（最大值）:	±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	369 pF 10 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	470mW（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	-
供应商器件封装:	-
封装/外壳:	-
温度:	-55°C # 150°C（TJ）