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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN2022UFDF-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 7.9A 6UDFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥2.0328 +200：￥1.520365 +800：￥1.178661 +3000：￥0.854139 +15000：￥0.768713	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.9A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 22 毫欧 4A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18 nC 8 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 907 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 660mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： U-DFN2020-6（F 类）封装/外壳： 6-UDFN 裸露焊盘温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN2022UFDF-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 7.9A 6UDFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.757482 +6000：￥0.711596 +15000：￥0.665654 +30000：￥0.610557 +75000：￥0.587642	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.9A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 22 毫欧 4A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18 nC 8 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 907 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 660mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： U-DFN2020-6（F 类）封装/外壳： 6-UDFN 裸露焊盘温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
DMN2022UFDF-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 7.9A 6UDFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.853001 +6000：￥1.74075 +15000：￥1.628366 +30000：￥1.493584 +75000：￥1.437528	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.9A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 22 毫欧 4A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18 nC 8 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 907 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 660mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： U-DFN2020-6（F 类）封装/外壳： 6-UDFN 裸露焊盘温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMN2022UFDF-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 7.9A 6UDFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.515089 +10：￥5.279937 +100：￥3.594157 +500：￥2.695347 +1000：￥2.021442	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 6-UDFN Exposed Pad 供应商器件封装： U-DFN2020-6 (Type F)
DMN2022UFDF-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 7.9A 6UDFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.515089 +10：￥5.279937 +100：￥3.594157 +500：￥2.695347 +1000：￥2.021442	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 6-UDFN Exposed Pad 供应商器件封装： U-DFN2020-6 (Type F)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN2022UFDF-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 7.9A 6UDFN 下载数据手册未分类	+1：￥7.869363 +10：￥6.085641 +100：￥3.392572 +1000：￥2.308347 +3000：￥1.976085	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.9A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 22 毫欧 4A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18 nC 8 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 907 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 660mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： U-DFN2020-6（F 类）封装/外壳： 6-UDFN 裸露焊盘温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN2022UFDF-7 DIODES(美台) 授权代理品牌	下载数据手册未分类	+3000：￥1.081903 +9000：￥1.032275 +12000：￥1.022348 +30000：￥0.991578 +45000：￥0.958823	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

DMN2022UFDF-7参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	7.9A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	1.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	22 毫欧 4A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	18 nC 8 V
Vgs（最大值）:	±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	907 pF 10 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	660mW（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	U-DFN2020-6（F 类）
封装/外壳:	6-UDFN 裸露焊盘
温度:	-55°C # 150°C（TJ）