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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DN3145N8-G Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 450V 100MA TO243AA 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Microchip Technology 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 450 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100mA（Tj）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 0V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 60 欧姆 100mA，0V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 120 pF 25 V FET 功能：耗尽模式功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-243AA（SOT-89）封装/外壳： TO-243AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DN3145N8-G Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 450V 100MA TO243AA 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2000：￥4.030054	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Microchip Technology 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 450 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100mA（Tj）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 0V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 60 欧姆 100mA，0V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 120 pF 25 V FET 功能：耗尽模式功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-243AA（SOT-89）封装/外壳： TO-243AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
DN3145N8-G Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 450V 100MA TO243AA 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2000：￥9.858579	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Microchip Technology 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 450 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100mA（Tj）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 0V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 60 欧姆 100mA，0V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 120 pF 25 V FET 功能：耗尽模式功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-243AA（SOT-89）封装/外壳： TO-243AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DN3145N8-G Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 450V 100MA TO243AA 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥12.858829 +25：￥10.858567 +100：￥9.858435	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-243AA 供应商器件封装： TO-243AA (SOT-89)
DN3145N8-G Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 450V 100MA TO243AA 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥12.858829 +25：￥10.858567 +100：￥9.858435	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-243AA 供应商器件封装： TO-243AA (SOT-89)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DN3145N8-G Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 450V 100MA TO243AA 下载数据手册未分类	+1：￥13.556273 +10：￥13.474609 +25：￥12.135316 +100：￥11.269673 +2000：￥11.269673	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Microchip Technology 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 450 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100mA（Tj）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 0V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 60 欧姆 100mA，0V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 120 pF 25 V FET 功能：耗尽模式功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-243AA（SOT-89）封装/外壳： TO-243AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
DN3145N8-G MICROCHIP(美国微芯) 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 450V 0.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R 下载数据手册未分类	+8：￥12.165897 +10：￥12.051664 +25：￥11.922785 +100：￥11.79244 +250：￥11.662097	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
DN3145N8-G MICROCHIP(美国微芯) 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 450V 0.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R 下载数据手册未分类	+2000：￥19.439413	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
DN3145N8-G MICROCHIP(美国微芯) 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 450V 0.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R 下载数据手册未分类	+2000：￥13.668509 +4000：￥12.810293 +6000：￥12.471984 +8000：￥12.146858 +10000：￥11.8891	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DN3145N8-G MICROCHIP(美国微芯) 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 450V 0.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R 下载数据手册未分类	+2000：￥8.097149 +4000：￥8.036812 +6000：￥7.976476 +8000：￥7.916139 +10000：￥7.855803	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

DN3145N8-G参数规格

属性	参数值
品牌:	Microchip Technology
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	450 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	100mA（Tj）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	0V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	60 欧姆 100mA，0V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	-
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	120 pF 25 V
FET 功能:	耗尽模式
功率耗散（最大值）:	1.3W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	TO-243AA（SOT-89）
封装/外壳:	TO-243AA
温度:	-55°C # 150°C（TJ）