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DMG4496SSS-13_晶体管-FET,MOSFET-单个
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库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Active

FET 类型: N-Channel

技术: MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss): 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 10A (Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V, 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 21.5mOhm 10A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 10.2 nC 10 V

Vgs(最大值): ±25V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 493.5 pF 15 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 1.42W (Ta)

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

供应商器件封装: 8-SO

封装/外壳: 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)

温度: -55°C # 150°C (TJ)

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DMG4496SSS-13_晶体管-FET,MOSFET-单个
DMG4496SSS-13
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库存: 1000 +

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品牌: Diodes Incorporated

包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Active

FET 类型: N-Channel

技术: MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss): 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 10A (Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V, 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 21.5mOhm 10A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 10.2 nC 10 V

Vgs(最大值): ±25V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 493.5 pF 15 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 1.42W (Ta)

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

供应商器件封装: 8-SO

封装/外壳: 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)

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DMG4496SSS-13
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品牌: Diodes Incorporated

包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

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零件状态: Active

FET 类型: N-Channel

技术: MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss): 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 10A (Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V, 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 21.5mOhm 10A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 10.2 nC 10 V

Vgs(最大值): ±25V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 493.5 pF 15 V

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安装类型: Surface Mount

供应商器件封装: 8-SO

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DMG4496SSS-13_null
DMG4496SSS-13
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MOSFET N-CH 30V 10A 8SO

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库存: 1000 +

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品牌: Diodes Incorporated

包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

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零件状态: Active

FET 类型: N-Channel

技术: MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss): 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 10A (Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V, 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 21.5mOhm 10A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 10.2 nC 10 V

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安装类型: Surface Mount

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零件状态: Active

FET 类型: N-Channel

技术: MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss): 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 10A (Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V, 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 21.5mOhm 10A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 10.2 nC 10 V

Vgs(最大值): ±25V

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技术: MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss): 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 10A (Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V, 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 21.5mOhm 10A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 10.2 nC 10 V

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漏源电压(Vdss): 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 10A (Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V, 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 21.5mOhm 10A, 10V

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驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V, 10V

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不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 10.2 nC 10 V

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封装/外壳: 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)

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漏源电压(Vdss): 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 10A (Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V, 10V

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货期:7~10 天

品牌: Diodes Incorporated

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驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V, 10V

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功率耗散(最大值): 1.42W (Ta)

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安装类型: Surface Mount

供应商器件封装: 8-SO

封装/外壳: 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)

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DMG4496SSS-13参数规格

属性 参数值
品牌: Diodes Incorporated
包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: Active
FET 类型: N-Channel
技术: MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压(Vdss): 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 10A (Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V, 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 21.5mOhm 10A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 10.2 nC 10 V
Vgs(最大值): ±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 493.5 pF 15 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 1.42W (Ta)
工作温度: -55°C # 150°C (TJ)
安装类型: Surface Mount
供应商器件封装: 8-SO
封装/外壳: 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)
温度: -55°C # 150°C (TJ)