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DMN2450UFD-7_晶体管-FET,MOSFET-单个
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品牌: Diodes Incorporated

包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Active

FET 类型: N-Channel

技术: MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss): 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 900mA (Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 1.5V, 4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 600mOhm 200mA, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 0.7 nC 4.5 V

Vgs(最大值): ±12V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 52 pF 16 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 400mW (Ta)

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

供应商器件封装: X1-DFN1212-3

封装/外壳: 3-UDFN

温度: -55°C # 150°C (TJ)

DMN2450UFD-7_晶体管-FET,MOSFET-单个
DMN2450UFD-7
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品牌: Diodes Incorporated

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零件状态: Active

FET 类型: N-Channel

技术: MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss): 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 900mA (Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 1.5V, 4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 600mOhm 200mA, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 0.7 nC 4.5 V

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FET 功能: -

功率耗散(最大值): 400mW (Ta)

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安装类型: Surface Mount

供应商器件封装: X1-DFN1212-3

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技术: MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss): 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 900mA (Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 1.5V, 4.5V

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技术: MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss): 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 900mA (Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 1.5V, 4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 600mOhm 200mA, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 250µA

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Vgs(最大值): ±12V

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技术: MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss): 20 V

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漏源电压(Vdss): 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 900mA (Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 1.5V, 4.5V

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漏源电压(Vdss): 20 V

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驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 1.5V, 4.5V

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驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 1.5V, 4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 600mOhm 200mA, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 250µA

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Vgs(最大值): ±12V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 52 pF 16 V

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功率耗散(最大值): 400mW (Ta)

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

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技术: MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss): 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 900mA (Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 1.5V, 4.5V

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不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 250µA

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功率耗散(最大值): 400mW (Ta)

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

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漏源电压(Vdss): 20 V

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驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 1.5V, 4.5V

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DMN2450UFD-7参数规格

属性 参数值
品牌: Diodes Incorporated
包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: Active
FET 类型: N-Channel
技术: MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压(Vdss): 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 900mA (Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 1.5V, 4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 600mOhm 200mA, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 0.7 nC 4.5 V
Vgs(最大值): ±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 52 pF 16 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 400mW (Ta)
工作温度: -55°C # 150°C (TJ)
安装类型: Surface Mount
供应商器件封装: X1-DFN1212-3
封装/外壳: 3-UDFN
温度: -55°C # 150°C (TJ)