品牌： Diodes Incorporated

包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Active

FET 类型： N-Channel

技术： MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）： 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 900mA (Ta)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V, 4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 600mOhm 200mA, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.7 nC 4.5 V

Vgs（最大值）： ±12V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 52 pF 16 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 400mW (Ta)

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

供应商器件封装： X1-DFN1212-3

封装/外壳： 3-UDFN

温度： -55°C # 150°C (TJ)

品牌： Diodes Incorporated

包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Active

FET 类型： N-Channel

技术： MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）： 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 900mA (Ta)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V, 4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 600mOhm 200mA, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.7 nC 4.5 V

Vgs（最大值）： ±12V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 52 pF 16 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 400mW (Ta)

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

供应商器件封装： X1-DFN1212-3

封装/外壳： 3-UDFN

温度： -55°C # 150°C (TJ)

品牌： Diodes Incorporated

包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Active

FET 类型： N-Channel

技术： MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）： 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 900mA (Ta)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V, 4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 600mOhm 200mA, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.7 nC 4.5 V

Vgs（最大值）： ±12V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 52 pF 16 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 400mW (Ta)

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

供应商器件封装： X1-DFN1212-3

封装/外壳： 3-UDFN

温度： -55°C # 150°C (TJ)

品牌： Diodes Incorporated

包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Active

FET 类型： N-Channel

技术： MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）： 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 900mA (Ta)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V, 4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 600mOhm 200mA, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.7 nC 4.5 V

Vgs（最大值）： ±12V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 52 pF 16 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 400mW (Ta)

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

供应商器件封装： X1-DFN1212-3

封装/外壳： 3-UDFN

温度： -55°C # 150°C (TJ)

品牌： Diodes Incorporated

包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Active

FET 类型： N-Channel

技术： MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）： 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 900mA (Ta)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V, 4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 600mOhm 200mA, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.7 nC 4.5 V

Vgs（最大值）： ±12V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 52 pF 16 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 400mW (Ta)

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

供应商器件封装： X1-DFN1212-3

封装/外壳： 3-UDFN

温度： -55°C # 150°C (TJ)

品牌： Diodes Incorporated

包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Active

FET 类型： N-Channel

技术： MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）： 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 900mA (Ta)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V, 4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 600mOhm 200mA, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.7 nC 4.5 V

Vgs（最大值）： ±12V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 52 pF 16 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 400mW (Ta)

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

供应商器件封装： X1-DFN1212-3

封装/外壳： 3-UDFN

温度： -55°C # 150°C (TJ)

品牌： Diodes Incorporated

包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Active

FET 类型： N-Channel

技术： MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）： 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 900mA (Ta)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V, 4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 600mOhm 200mA, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.7 nC 4.5 V

Vgs（最大值）： ±12V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 52 pF 16 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 400mW (Ta)

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

供应商器件封装： X1-DFN1212-3

封装/外壳： 3-UDFN

温度： -55°C # 150°C (TJ)

品牌： Diodes Incorporated

包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Active

FET 类型： N-Channel

技术： MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）： 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 900mA (Ta)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V, 4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 600mOhm 200mA, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.7 nC 4.5 V

Vgs（最大值）： ±12V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 52 pF 16 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 400mW (Ta)

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

供应商器件封装： X1-DFN1212-3

封装/外壳： 3-UDFN

温度： -55°C # 150°C (TJ)

品牌： Diodes Incorporated

包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Active

FET 类型： N-Channel

技术： MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）： 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 900mA (Ta)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V, 4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 600mOhm 200mA, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.7 nC 4.5 V

Vgs（最大值）： ±12V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 52 pF 16 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 400mW (Ta)

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

供应商器件封装： X1-DFN1212-3

封装/外壳： 3-UDFN

温度： -55°C # 150°C (TJ)

品牌： Diodes Incorporated

包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Active

FET 类型： N-Channel

技术： MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）： 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 900mA (Ta)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V, 4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 600mOhm 200mA, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.7 nC 4.5 V

Vgs（最大值）： ±12V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 52 pF 16 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 400mW (Ta)

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

供应商器件封装： X1-DFN1212-3

封装/外壳： 3-UDFN

温度： -55°C # 150°C (TJ)