 | DMN2450UFD-7 | | | | 品牌: Diodes Incorporated 包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳: * 系列: 零件状态: Active FET 类型: N-Channel 技术: MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压(Vdss): 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 900mA (Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 1.5V, 4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 600mOhm 200mA, 4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 0.7 nC 4.5 V Vgs(最大值): ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 52 pF 16 V FET 功能: - 功率耗散(最大值): 400mW (Ta) 工作温度: -55°C # 150°C (TJ) 安装类型: Surface Mount 供应商器件封装: X1-DFN1212-3 封装/外壳: 3-UDFN 温度: -55°C # 150°C (TJ) |
 | DMN2450UFD-7 | | | | 品牌: Diodes Incorporated 包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳: * 系列: 零件状态: Active FET 类型: N-Channel 技术: MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压(Vdss): 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 900mA (Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 1.5V, 4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 600mOhm 200mA, 4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 0.7 nC 4.5 V Vgs(最大值): ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 52 pF 16 V FET 功能: - 功率耗散(最大值): 400mW (Ta) 工作温度: -55°C # 150°C (TJ) 安装类型: Surface Mount 供应商器件封装: X1-DFN1212-3 封装/外壳: 3-UDFN 温度: -55°C # 150°C (TJ) |
 | DMN2450UFD-7 | | | | 品牌: Diodes Incorporated 包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳: * 系列: 零件状态: Active FET 类型: N-Channel 技术: MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压(Vdss): 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 900mA (Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 1.5V, 4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 600mOhm 200mA, 4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 0.7 nC 4.5 V Vgs(最大值): ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 52 pF 16 V FET 功能: - 功率耗散(最大值): 400mW (Ta) 工作温度: -55°C # 150°C (TJ) 安装类型: Surface Mount 供应商器件封装: X1-DFN1212-3 封装/外壳: 3-UDFN 温度: -55°C # 150°C (TJ) |
 | DMN2450UFD-7 | | | | 品牌: Diodes Incorporated 包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳: * 系列: 零件状态: Active FET 类型: N-Channel 技术: MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压(Vdss): 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 900mA (Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 1.5V, 4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 600mOhm 200mA, 4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 0.7 nC 4.5 V Vgs(最大值): ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 52 pF 16 V FET 功能: - 功率耗散(最大值): 400mW (Ta) 工作温度: -55°C # 150°C (TJ) 安装类型: Surface Mount 供应商器件封装: X1-DFN1212-3 封装/外壳: 3-UDFN 温度: -55°C # 150°C (TJ) |
 | DMN2450UFD-7 | | | | 品牌: Diodes Incorporated 包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳: * 系列: 零件状态: Active FET 类型: N-Channel 技术: MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压(Vdss): 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 900mA (Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 1.5V, 4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 600mOhm 200mA, 4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 0.7 nC 4.5 V Vgs(最大值): ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 52 pF 16 V FET 功能: - 功率耗散(最大值): 400mW (Ta) 工作温度: -55°C # 150°C (TJ) 安装类型: Surface Mount 供应商器件封装: X1-DFN1212-3 封装/外壳: 3-UDFN 温度: -55°C # 150°C (TJ) |
 | DMN2450UFD-7 | | | | 品牌: Diodes Incorporated 包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳: * 系列: 零件状态: Active FET 类型: N-Channel 技术: MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压(Vdss): 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 900mA (Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 1.5V, 4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 600mOhm 200mA, 4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 0.7 nC 4.5 V Vgs(最大值): ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 52 pF 16 V FET 功能: - 功率耗散(最大值): 400mW (Ta) 工作温度: -55°C # 150°C (TJ) 安装类型: Surface Mount 供应商器件封装: X1-DFN1212-3 封装/外壳: 3-UDFN 温度: -55°C # 150°C (TJ) |