DMP510DL-7厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP510DL-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 50V 0.18A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥0.226123 +50：￥0.207865 +200：￥0.192651 +600：￥0.177436 +1500：￥0.165265	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 50 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 180mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10 欧姆 100mA，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 24.6 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 310mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	DMP510DL-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 50V 0.18A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+20：￥0.472626 +100：￥0.318835 +800：￥0.233288 +3000：￥0.170973 +6000：￥0.162382	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 50 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 180mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10 欧姆 100mA，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 24.6 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 310mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMP510DL-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 50V 0.18A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥0.481943 +5000：￥0.267773	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 50 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 180mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10 欧姆 100mA，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 24.6 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 310mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

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	DMP510DL-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 50V 0.18A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥0.198767 +5000：￥0.172869	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 50 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 180mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10 欧姆 100mA，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 24.6 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 310mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	DMP510DL-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 50V 0.18A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.184162 +100：￥0.176176	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 50 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 180mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10 欧姆 100mA，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 24.6 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 310mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	DMP510DL-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 50V 0.18A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 50 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 180mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10 欧姆 100mA，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 24.6 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 310mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	DMP510DL-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 50V 0.18A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.38861 +6000：￥0.349748	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 50 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 180mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10 欧姆 100mA，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 24.6 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 310mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
DMP510DL-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 50V 0.18A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.950642 +6000：￥0.855577	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 50 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 180mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10 欧姆 100mA，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 24.6 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 310mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMP510DL-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 50V 0.18A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.100314 +10：￥3.7969 +100：￥2.153467 +500：￥1.425822 +1000：￥1.093167	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： SOT-23
DMP510DL-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 50V 0.18A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥0.591632 +100：￥0.451333 +300：￥0.425565 +1000：￥0.399796 +5000：￥0.388342	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： SOT-23

DMP510DL-7参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	50 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	180mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	10 欧姆 100mA，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	-
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	24.6 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	310mW（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SOT-23-3
封装/外壳:	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）