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自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
DXTN3C100PSQ-13_双极性晶体管
授权代理品牌

PWR LOW SAT TRANSISTOR POWERDI50

双极性晶体管

+2500:

¥1.269323

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 3 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 100 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 330mV 300mA,3A

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 150 500mA,10V

功率 - 最大值: 5 W

频率 - 跃迁: 140MHz

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-PowerTDFN

供应商器件封装: Accelerometer,3 Axis,Impact

温度: -55°C # 175°C(TJ)

Digi-Key
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DXTN3C100PSQ-13_双极性晶体管
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PWR LOW SAT TRANSISTOR POWERDI50

双极性晶体管

+2500:

¥3.105101

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 3 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 100 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 330mV 300mA,3A

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 150 500mA,10V

功率 - 最大值: 5 W

频率 - 跃迁: 140MHz

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-PowerTDFN

供应商器件封装: Accelerometer,3 Axis,Impact

温度: -55°C # 175°C(TJ)

Mouser
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DXTN3C100PSQ-13_晶体管
DXTN3C100PSQ-13
授权代理品牌

PWR LOW SAT TRANSISTOR POWERDI50

晶体管

+:

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库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 3 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 100 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 330mV 300mA,3A

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 150 500mA,10V

功率 - 最大值: 5 W

频率 - 跃迁: 140MHz

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-PowerTDFN

供应商器件封装: Accelerometer,3 Axis,Impact

温度: -55°C # 175°C(TJ)

DXTN3C100PSQ-13参数规格

属性 参数值
品牌: Diodes Incorporated
包装: 卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: Automotive, AEC-Q101
零件状态: 在售
晶体管类型: NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 3 A
电压 - 集射极击穿(最大值): 100 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 330mV 300mA,3A
电流 - 集电极截止(最大值): 100nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 150 500mA,10V
功率 - 最大值: 5 W
频率 - 跃迁: 140MHz
工作温度: -55°C # 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-PowerTDFN
供应商器件封装: Accelerometer,3 Axis,Impact
温度: -55°C # 175°C(TJ)