DMG1013T-7厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMG1013T-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 0.46A SOT-523 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.209475 +10：￥0.1764 +3000：￥0.15435 +6000：￥0.143325	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 460mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 700 毫欧 350mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.622 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±6V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 59.76 pF 16 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 270mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-523 封装/外壳： SOT-523 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	DMG1013T-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOS场效应管 DMG1013T-7 SOT-523 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+20：￥1.119613 +100：￥0.756371 +800：￥0.25168 +3000：￥0.143748 +6000：￥0.136488	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 460mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 700 毫欧 350mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.622 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±6V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 59.76 pF 16 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 270mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-523 封装/外壳： SOT-523 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMG1013T-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 0.46A SOT-523 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥0.364452 +100：￥0.30976 +300：￥0.255068 +3000：￥0.227843 +6000：￥0.209572	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 460mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 700 毫欧 350mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.622 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±6V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 59.76 pF 16 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 270mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-523 封装/外壳： SOT-523 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

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	DMG1013T-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 0.46A SOT-523 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥0.196288 +100：￥0.173495 +300：￥0.162098 +3000：￥0.132446 +6000：￥0.125607	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 460mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 700 毫欧 350mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.622 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±6V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 59.76 pF 16 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 270mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-523 封装/外壳： SOT-523 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	DMG1013T-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 0.46A SOT-523 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.007464	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 460mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 700 毫欧 350mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.622 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±6V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 59.76 pF 16 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 270mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-523 封装/外壳： SOT-523 温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
DMG1013T-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 0.46A SOT-523 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.219949 +10：￥0.18522 +100：￥0.162068 +500：￥0.138915 +1000：￥0.127339	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 460mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 700 毫欧 350mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.622 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±6V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 59.76 pF 16 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 270mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-523 封装/外壳： SOT-523 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMG1013T-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 0.46A SOT-523 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.194481 +10：￥0.191009 +100：￥0.187535 +1000：￥0.185799 +3000：￥0.184063	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 460mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 700 毫欧 350mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.622 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±6V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 59.76 pF 16 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 270mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-523 封装/外壳： SOT-523 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMG1013T-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 0.46A SOT-523 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.000883 +200：￥0.333628 +1500：￥0.208836 +3000：￥0.143893 +45000：￥0.142619	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 460mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 700 毫欧 350mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.622 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±6V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 59.76 pF 16 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 270mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-523 封装/外壳： SOT-523 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	DMG1013T-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 0.46A SOT-523 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.274796 +6000：￥0.249218 +9000：￥0.235959 +15000：￥0.221012 +21000：￥0.212132	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 460mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 700 毫欧 350mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.622 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±6V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 59.76 pF 16 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 270mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-523 封装/外壳： SOT-523 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMG1013T-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 0.46A SOT-523 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.481908 +6000：￥0.473952 +9000：￥0.465845 +15000：￥0.457735 +21000：￥0.44978	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 460mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 700 毫欧 350mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.622 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±6V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 59.76 pF 16 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 270mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-523 封装/外壳： SOT-523 温度： -55°C # 150°C（TJ）

DMG1013T-7参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	460mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	1.8V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	700 毫欧 350mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	0.622 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±6V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	59.76 pF 16 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	270mW（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SOT-523
封装/外壳:	SOT-523
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
DMG1013T-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 0.46A SOT-523 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.219949 +10：￥0.18522 +100：￥0.162068 +500：￥0.138915 +1000：￥0.127339	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 460mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 700 毫欧 350mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.622 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±6V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 59.76 pF 16 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 270mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-523 封装/外壳： SOT-523 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMG1013T-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 0.46A SOT-523 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.194481 +10：￥0.191009 +100：￥0.187535 +1000：￥0.185799 +3000：￥0.184063	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 460mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 700 毫欧 350mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.622 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±6V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 59.76 pF 16 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 270mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-523 封装/外壳： SOT-523 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMG1013T-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 0.46A SOT-523 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.000883 +200：￥0.333628 +1500：￥0.208836 +3000：￥0.143893 +45000：￥0.142619	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 460mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 700 毫欧 350mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.622 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±6V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 59.76 pF 16 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 270mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-523 封装/外壳： SOT-523 温度： -55°C # 150°C（TJ）