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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMG1012T-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 630MA SOT-523 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.15435 +30：￥0.148838 +100：￥0.137813 +500：￥0.126788 +1000：￥0.121275	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 630mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 400 毫欧 600mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.74 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±6V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 60.67 pF 16 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 280mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-523 封装/外壳： SOT-523 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMG1012T-7 TECH PUBLIC(台舟电子) 授权代理品牌	MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=800mA RDS(ON)=180mΩ@4.5V SOT523 下载数据手册未分类	+1：￥0.387276	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

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	DMG1012T-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOS场效应管 DMG1012T-7 SOT-523 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+20：￥0.430518 +100：￥0.2904 +800：￥0.212476 +3000：￥0.155848 +6000：￥0.147862	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 630mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 400 毫欧 600mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.74 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±6V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 60.67 pF 16 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 280mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-523 封装/外壳： SOT-523 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMG1012T-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 630MA SOT-523 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+20：￥0.3509 +200：￥0.298265 +600：￥0.24563 +3000：￥0.219373 +9000：￥0.201828	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 630mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 400 毫欧 600mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.74 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±6V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 60.67 pF 16 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 280mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-523 封装/外壳： SOT-523 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	DMG1012T-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 630MA SOT-523 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.247808	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 630mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 400 毫欧 600mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.74 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±6V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 60.67 pF 16 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 280mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-523 封装/外壳： SOT-523 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMG1012T-7 null(华轩阳电子) 授权代理品牌	这款消费级N沟道MOSFET采用超小型SOT-523封装，具备20V工作电压和0.8A电流承载能力，专为低功耗、高集成度的电子设备设计，实现高效电源管理与精确开关控制。下载数据手册未分类	+1：￥0.094864	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
DMG1012T-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 630MA SOT-523 下载数据手册未分类	+3000：￥0.2479	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 630mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 400 毫欧 600mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.74 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±6V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 60.67 pF 16 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 280mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-523 封装/外壳： SOT-523 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMG1012T-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 630MA SOT-523 下载数据手册未分类	+45：￥3.117852 +100：￥1.644897 +500：￥1.085166 +1000：￥0.737707	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 630mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 400 毫欧 600mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.74 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±6V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 60.67 pF 16 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 280mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-523 封装/外壳： SOT-523 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMG1012T-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 630MA SOT-523 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 630mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 400 毫欧 600mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.74 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±6V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 60.67 pF 16 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 280mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-523 封装/外壳： SOT-523 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMG1012T-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 630MA SOT-523 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.280549 +6000：￥0.254471 +9000：￥0.241025 +15000：￥0.225765 +21000：￥0.216698	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 630mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 400 毫欧 600mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.74 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±6V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 60.67 pF 16 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 280mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-523 封装/外壳： SOT-523 温度： -55°C # 150°C（TJ）

DMG1012T-7参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	630mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	1.8V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	400 毫欧 600mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	0.74 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±6V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	60.67 pF 16 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	280mW（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SOT-523
封装/外壳:	SOT-523
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
DMG1012T-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 630MA SOT-523 下载数据手册未分类	+3000：￥0.2479	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 630mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 400 毫欧 600mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.74 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±6V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 60.67 pF 16 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 280mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-523 封装/外壳： SOT-523 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMG1012T-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 630MA SOT-523 下载数据手册未分类	+45：￥3.117852 +100：￥1.644897 +500：￥1.085166 +1000：￥0.737707	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 630mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 400 毫欧 600mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.74 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±6V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 60.67 pF 16 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 280mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-523 封装/外壳： SOT-523 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMG1012T-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 630MA SOT-523 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 630mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 400 毫欧 600mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.74 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±6V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 60.67 pF 16 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 280mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-523 封装/外壳： SOT-523 温度： -55°C # 150°C（TJ）