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搜索 CMZ18(TE12L,Q,M)5 条相关记录
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
CMZ18(TE12L,Q,M)_稳压二极管
CMZ18(TE12L,Q,M)
授权代理品牌

X35 PB-F DIODE M-FLAT MOQ=3000 V

稳压二极管

+3000:

¥1.723588

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Toshiba Semiconductor and Storage

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 18 V

容差: ±10%

功率 - 最大值: 2 W

阻抗(最大值)(Zzt): 30 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA 13 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.2 V 200 mA

工作温度: -40°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOD-128

供应商器件封装: M-FLAT(2.4x3.8)

温度: -40°C # 150°C(TJ)

自营 国内现货
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CMZ18(TE12L,Q,M)_稳压二极管
授权代理品牌

DIODE ZENER 18V 2W MFLAT

稳压二极管

+3000:

¥1.270579

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Toshiba Semiconductor and Storage

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 18 V

容差: ±10%

功率 - 最大值: 2 W

阻抗(最大值)(Zzt): 30 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA 13 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.2 V 200 mA

工作温度: -40°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOD-128

供应商器件封装: M-FLAT(2.4x3.8)

温度: -40°C # 150°C(TJ)

Digi-Key
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CMZ18(TE12L,Q,M)_稳压二极管
授权代理品牌

X35 PB-F DIODE M-FLAT MOQ=3000 V

稳压二极管

+3000:

¥2.195556

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Toshiba Semiconductor and Storage

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 18 V

容差: ±10%

功率 - 最大值: 2 W

阻抗(最大值)(Zzt): 30 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA 13 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.2 V 200 mA

工作温度: -40°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOD-128

供应商器件封装: M-FLAT(2.4x3.8)

温度: -40°C # 150°C(TJ)

Mouser
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CMZ18(TE12L,Q,M)_二极管与整流器
CMZ18(TE12L,Q,M)
授权代理品牌

X35 PB-F DIODE M-FLAT MOQ=3000 V

二极管与整流器

+1:

¥7.155296

+10:

¥6.095252

+100:

¥4.558189

+500:

¥3.577648

+1000:

¥2.769364

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Toshiba Semiconductor and Storage

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 18 V

容差: ±10%

功率 - 最大值: 2 W

阻抗(最大值)(Zzt): 30 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA 13 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.2 V 200 mA

工作温度: -40°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOD-128

供应商器件封装: M-FLAT(2.4x3.8)

温度: -40°C # 150°C(TJ)

艾睿
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
CMZ18(TE12L,Q,M)_未分类
CMZ18(TE12L,Q,M)
授权代理品牌

Zener Diode Single 18V 10% 30Ohm 2000mW 2-Pin M-FLAT T/R

未分类

+3000:

¥3.303671

+6000:

¥3.22328

+9000:

¥3.219453

+12000:

¥3.187551

+15000:

¥3.15565

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

CMZ18(TE12L,Q,M)参数规格

属性 参数值
品牌: Toshiba Semiconductor and Storage
包装: 卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 18 V
容差: ±10%
功率 - 最大值: 2 W
阻抗(最大值)(Zzt): 30 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA 13 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.2 V 200 mA
工作温度: -40°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOD-128
供应商器件封装: M-FLAT(2.4x3.8)
温度: -40°C # 150°C(TJ)