品牌： Toshiba Semiconductor and Storage

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

二极管类型： 肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 40 V

电流 - 平均整流 (Io)： 2A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 600 mV 2 A

速度： 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）

反向恢复时间 (trr)： -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 60 µA 40 V

不同 Vr、F 时电容： 35pF 10V，1MHz

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOD-123F

供应商器件封装： S-FLAT（1.6x3.5）

工作温度 - 结： 150°C（最大）

温度：

品牌： Toshiba Semiconductor and Storage

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

二极管类型： 肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 40 V

电流 - 平均整流 (Io)： 2A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 600 mV 2 A

速度： 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）

反向恢复时间 (trr)： -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 60 µA 40 V

不同 Vr、F 时电容： 35pF 10V，1MHz

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOD-123F

供应商器件封装： S-FLAT（1.6x3.5）

工作温度 - 结： 150°C（最大）

温度：

Packaging： Tape & Reel (TR)

Package / Case： SOD-123F

Mounting Type： Surface Mount

Speed： Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Technology： Schottky

Capacitance @ Vr, F： 35pF @ 10V, 1MHz

Current - Average Rectified (Io)： 2A

Supplier Device Package： S-FLAT (1.6x3.5)

Operating Temperature - Junction： 150°C (Max)

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)： 40 V

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If： 600 mV @ 2 A

Current - Reverse Leakage @ Vr： 60 µA @ 40 V

Packaging： Cut Tape (CT)

Package / Case： SOD-123F

Mounting Type： Surface Mount

Speed： Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Technology： Schottky

Capacitance @ Vr, F： 35pF @ 10V, 1MHz

Current - Average Rectified (Io)： 2A

Supplier Device Package： S-FLAT (1.6x3.5)

Operating Temperature - Junction： 150°C (Max)

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)： 40 V

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If： 600 mV @ 2 A

Current - Reverse Leakage @ Vr： 60 µA @ 40 V

Packaging： Digi-Reel®

Package / Case： SOD-123F

Mounting Type： Surface Mount

Speed： Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Technology： Schottky

Capacitance @ Vr, F： 35pF @ 10V, 1MHz

Current - Average Rectified (Io)： 2A

Supplier Device Package： S-FLAT (1.6x3.5)

Operating Temperature - Junction： 150°C (Max)

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)： 40 V

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If： 600 mV @ 2 A

Current - Reverse Leakage @ Vr： 60 µA @ 40 V

品牌： Toshiba Semiconductor and Storage

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

二极管类型： 肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 40 V

电流 - 平均整流 (Io)： 2A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 600 mV 2 A

速度： 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）

反向恢复时间 (trr)： -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 60 µA 40 V

不同 Vr、F 时电容： 35pF 10V，1MHz

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOD-123F

供应商器件封装： S-FLAT（1.6x3.5）

工作温度 - 结： 150°C（最大）

温度：