搜索 BSC160N10NS3GATMA1 共 9 条相关记录
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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BSC160N10NS3GATMA1 授权代理品牌 | +5000: ¥4.587914 | ||||
BSC160N10NS3GATMA1 授权代理品牌 | +1: ¥22.122484 +10: ¥10.817575 +50: ¥9.843015 +100: ¥8.020591 +200: ¥7.504096 |
Digi-Key
Mouser
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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BSC160N10NS3GATMA1 授权代理品牌 | +1: ¥22.176921 +10: ¥19.863991 +100: ¥15.510239 +500: ¥12.80275 +1000: ¥9.904785 |
艾睿
BSC160N10NS3GATMA1参数规格
属性 | 参数值 |
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品牌: | Infineon Technologies |
包装: | 剪切带(CT),卷带(TR) |
封装/外壳: | * |
系列: | OptiMOS™ |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 100 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 8.8A(Ta),42A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 6V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 16 毫欧 33A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 3.5V 33µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 25 nC 10 V |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 1700 pF 50 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 60W(Tc) |
工作温度: | -55°C # 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | PG-TDSON-8-1 |
封装/外壳: | 8-PowerTDFN |
温度: | -55°C # 150°C(TJ) |