品牌： Diodes Incorporated

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

电压 - 齐纳（标称值）(Vz)： 11 V

容差： ±5%

功率 - 最大值： 300 mW

阻抗（最大值）(Zzt)： 20 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 100 nA 8 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 900 mV 10 mA

工作温度： -65°C # 150°C

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装： SOT-23-3

温度： -65°C # 150°C

品牌： Diodes Incorporated

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

电压 - 齐纳（标称值）(Vz)： 11 V

容差： ±5%

功率 - 最大值： 300 mW

阻抗（最大值）(Zzt)： 20 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 100 nA 8 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 900 mV 10 mA

工作温度： -65°C # 150°C

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装： SOT-23-3

温度： -65°C # 150°C

品牌： Diodes Incorporated

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

电压 - 齐纳（标称值）(Vz)： 11 V

容差： ±5%

功率 - 最大值： 300 mW

阻抗（最大值）(Zzt)： 20 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 100 nA 8 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 900 mV 10 mA

工作温度： -65°C # 150°C

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装： SOT-23-3

温度： -65°C # 150°C

品牌： Diodes Incorporated

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

电压 - 齐纳（标称值）(Vz)： 11 V

容差： ±5%

功率 - 最大值： 300 mW

阻抗（最大值）(Zzt)： 20 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 100 nA 8 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 900 mV 10 mA

工作温度： -65°C # 150°C

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装： SOT-23-3

温度： -65°C # 150°C

品牌： Diodes Incorporated

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

电压 - 齐纳（标称值）(Vz)： 11 V

容差： ±5%

功率 - 最大值： 300 mW

阻抗（最大值）(Zzt)： 20 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 100 nA 8 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 900 mV 10 mA

工作温度： -65°C # 150°C

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装： SOT-23-3

温度： -65°C # 150°C

品牌： Diodes Incorporated

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

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电压 - 齐纳（标称值）(Vz)： 11 V

容差： ±5%

功率 - 最大值： 300 mW

阻抗（最大值）(Zzt)： 20 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 100 nA 8 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 900 mV 10 mA

工作温度： -65°C # 150°C

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

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温度： -65°C # 150°C

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电压 - 齐纳（标称值）(Vz)： 11 V

容差： ±5%

功率 - 最大值： 300 mW

阻抗（最大值）(Zzt)： 20 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 100 nA 8 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 900 mV 10 mA

工作温度： -65°C # 150°C

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

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温度： -65°C # 150°C

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电压 - 齐纳（标称值）(Vz)： 11 V

容差： ±5%

功率 - 最大值： 300 mW

阻抗（最大值）(Zzt)： 20 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 100 nA 8 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 900 mV 10 mA

工作温度： -65°C # 150°C

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装： SOT-23-3

温度： -65°C # 150°C

品牌： Diodes Incorporated

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

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电压 - 齐纳（标称值）(Vz)： 11 V

容差： ±5%

功率 - 最大值： 300 mW

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不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 100 nA 8 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 900 mV 10 mA

工作温度： -65°C # 150°C

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装： SOT-23-3

温度： -65°C # 150°C

品牌： Diodes Incorporated

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

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电压 - 齐纳（标称值）(Vz)： 11 V

容差： ±5%

功率 - 最大值： 300 mW

阻抗（最大值）(Zzt)： 20 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 100 nA 8 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 900 mV 10 mA

工作温度： -65°C # 150°C

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装： SOT-23-3

温度： -65°C # 150°C