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图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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BZM55C8V2-TR3 授权代理品牌 | +1: ¥4.279343 +10: ¥2.947992 +100: ¥1.204555 +1000: ¥0.729074 +2500: ¥0.681526 |
艾睿
BZM55C8V2-TR3参数规格
属性 | 参数值 |
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品牌: | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
包装: | 卷带(TR) |
封装/外壳: | * |
系列: | Automotive, AEC-Q101, BZM55 |
零件状态: | 在售 |
电压 - 齐纳(标称值)(Vz): | 8.2 V |
容差: | - |
功率 - 最大值: | 500 mW |
阻抗(最大值)(Zzt): | 50 Ohms |
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: | 100 nA 6.2 V |
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): | 1.5 V 200 mA |
工作温度: | -65°C # 175°C |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | 2-SMD,无引线 |
供应商器件封装: | MicroMELF |
温度: | -65°C # 175°C |