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BZT52C5V6-7-F_稳压二极管
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DIODE ZENER 5.6V 500MW SOD123

稳压二极管

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国内:1~2 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 5.6 V

容差: ±7%

功率 - 最大值: 500 mW

阻抗(最大值)(Zzt): 40 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 µA 2 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV 10 mA

工作温度: -65°C # 150°C

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOD-123

供应商器件封装: SOD-123

温度: -65°C # 150°C

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BZT52C5V6-7-F
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稳压二极管 BZT52C5V6-7-F SOD-123

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DIODE ZENER 5.6V 500MW SOD123

稳压二极管

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品牌: Diodes Incorporated

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 5.6 V

容差: ±7%

功率 - 最大值: 500 mW

阻抗(最大值)(Zzt): 40 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 µA 2 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV 10 mA

工作温度: -65°C # 150°C

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOD-123

供应商器件封装: SOD-123

温度: -65°C # 150°C

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DIODE ZENER 5.6V 500MW SOD123

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品牌: Diodes Incorporated

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

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系列:

零件状态: 在售

电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 5.6 V

容差: ±7%

功率 - 最大值: 500 mW

阻抗(最大值)(Zzt): 40 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 µA 2 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV 10 mA

工作温度: -65°C # 150°C

安装类型: 表面贴装型

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温度: -65°C # 150°C

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DIODE ZENER 5.6V 500MW SOD123

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品牌: Diodes Incorporated

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

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零件状态: 在售

电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 5.6 V

容差: ±7%

功率 - 最大值: 500 mW

阻抗(最大值)(Zzt): 40 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 µA 2 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV 10 mA

工作温度: -65°C # 150°C

安装类型: 表面贴装型

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温度: -65°C # 150°C

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包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

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零件状态: 在售

电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 5.6 V

容差: ±7%

功率 - 最大值: 500 mW

阻抗(最大值)(Zzt): 40 Ohms

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品牌: Diodes Incorporated

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电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 5.6 V

容差: ±7%

功率 - 最大值: 500 mW

阻抗(最大值)(Zzt): 40 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 µA 2 V

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电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 5.6 V

容差: ±7%

功率 - 最大值: 500 mW

阻抗(最大值)(Zzt): 40 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 µA 2 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV 10 mA

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封装/外壳: SOD-123

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库存: 1000 +

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品牌: Diodes Incorporated

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封装/外壳: *

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零件状态: 在售

电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 5.6 V

容差: ±7%

功率 - 最大值: 500 mW

阻抗(最大值)(Zzt): 40 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 µA 2 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV 10 mA

工作温度: -65°C # 150°C

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOD-123

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自营 国内现货
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稳压二极管

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¥0.251683

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¥0.214172

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¥0.171395

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Diodes Incorporated

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封装/外壳: *

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电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 5.6 V

容差: ±7%

功率 - 最大值: 500 mW

阻抗(最大值)(Zzt): 40 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 µA 2 V

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工作温度: -65°C # 150°C

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOD-123

供应商器件封装: SOD-123

温度: -65°C # 150°C

BZT52C5V6-7-F参数规格

属性 参数值
品牌: Diodes Incorporated
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 5.6 V
容差: ±7%
功率 - 最大值: 500 mW
阻抗(最大值)(Zzt): 40 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 µA 2 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV 10 mA
工作温度: -65°C # 150°C
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOD-123
供应商器件封装: SOD-123
温度: -65°C # 150°C