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自营 现货库存
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
BAS83-GS18_二极管整流器
BAS83-GS18
授权代理品牌

DIODE SCHOTTKY 60V 30MA SOD80

二极管整流器

+1:

¥0.87201

+200:

¥0.347938

+500:

¥0.336311

+1000:

¥0.330567

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

二极管类型: 肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 60 V

电流 - 平均整流 (Io): 30mA(DC)

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V 15 mA

速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度

反向恢复时间 (trr): -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 200 nA 60 V

不同 Vr、F 时电容: 1.6pF 1V,1MHz

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: DO-213AC,MINI-MELF,SOD-80

供应商器件封装: SOD-80 MiniMELF

工作温度 - 结: 125°C(最大)

温度:

自营 国内现货
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BAS83-GS18_二极管整流器
授权代理品牌

DIODE SCHOTTKY 60V 30MA SOD80

二极管整流器

+10000:

¥0.163762

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

二极管类型: 肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 60 V

电流 - 平均整流 (Io): 30mA(DC)

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V 15 mA

速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度

反向恢复时间 (trr): -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 200 nA 60 V

不同 Vr、F 时电容: 1.6pF 1V,1MHz

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: DO-213AC,MINI-MELF,SOD-80

供应商器件封装: SOD-80 MiniMELF

工作温度 - 结: 125°C(最大)

温度:

Digi-Key
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BAS83-GS18_二极管整流器
授权代理品牌

DIODE SCHOTTKY 60V 30MA SOD80

二极管整流器

+10000:

¥0.282979

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

二极管类型: 肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 60 V

电流 - 平均整流 (Io): 30mA(DC)

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V 15 mA

速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度

反向恢复时间 (trr): -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 200 nA 60 V

不同 Vr、F 时电容: 1.6pF 1V,1MHz

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: DO-213AC,MINI-MELF,SOD-80

供应商器件封装: SOD-80 MiniMELF

工作温度 - 结: 125°C(最大)

温度:

Mouser
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BAS83-GS18_二极管与整流器
BAS83-GS18
授权代理品牌

DIODE SCHOTTKY 60V 30MA SOD80

二极管与整流器

+1:

¥5.861856

+10:

¥4.182515

+100:

¥2.107101

+1000:

¥1.267429

+2500:

¥1.077315

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

二极管类型: 肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 60 V

电流 - 平均整流 (Io): 30mA(DC)

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V 15 mA

速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度

反向恢复时间 (trr): -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 200 nA 60 V

不同 Vr、F 时电容: 1.6pF 1V,1MHz

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: DO-213AC,MINI-MELF,SOD-80

供应商器件封装: SOD-80 MiniMELF

工作温度 - 结: 125°C(最大)

温度:

BAS83-GS18参数规格

属性 参数值
品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
包装: 卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: Automotive, AEC-Q101
零件状态: 在售
二极管类型: 肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 60 V
电流 - 平均整流 (Io): 30mA(DC)
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V 15 mA
速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度
反向恢复时间 (trr): -
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 200 nA 60 V
不同 Vr、F 时电容: 1.6pF 1V,1MHz
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-213AC,MINI-MELF,SOD-80
供应商器件封装: SOD-80 MiniMELF
工作温度 - 结: 125°C(最大)
温度: