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图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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![]() | BZT52B8V2-HE3-08 授权代理品牌 | +: ¥ +: ¥ +: ¥ +: ¥ +: ¥ |
艾睿
BZT52B8V2-HE3-08参数规格
属性 | 参数值 |
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品牌: | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
包装: | 卷带(TR) |
封装/外壳: | * |
系列: | Automotive, AEC-Q101, BZT52 |
零件状态: | 在售 |
电压 - 齐纳(标称值)(Vz): | 8.2 V |
容差: | ±2% |
功率 - 最大值: | 410 mW |
阻抗(最大值)(Zzt): | 4.5 Ohms |
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: | 100 nA 6 V |
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): | - |
工作温度: | -55°C # 150°C |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | SOD-123 |
供应商器件封装: | SOD-123 |
温度: | -55°C # 150°C |