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BZX84C5V1LT116_稳压二极管
BZX84C5V1LT116
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DIODE ZENER 5.1V 250MW SSD3

稳压二极管

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¥0.272008

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¥0.231231

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¥0.190454

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¥0.170005

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¥0.156453

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 5.1 V

容差: ±5.88%

功率 - 最大值: 250 mW

阻抗(最大值)(Zzt): 60 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 2 µA 2 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): -

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装: SSD3

温度: 150°C(TJ)

自营 现货库存
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BZX84C5V1LT116_稳压二极管
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DIODE ZENER 5.1V 250MW SSD3

稳压二极管

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¥0.098194

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 5.1 V

容差: ±5.88%

功率 - 最大值: 250 mW

阻抗(最大值)(Zzt): 60 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 2 µA 2 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): -

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装: SSD3

温度: 150°C(TJ)

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BZX84C5V1LT116_稳压二极管
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DIODE ZENER 5.1V 250MW SSD3

稳压二极管

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库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 5.1 V

容差: ±5.88%

功率 - 最大值: 250 mW

阻抗(最大值)(Zzt): 60 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 2 µA 2 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): -

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装: SSD3

温度: 150°C(TJ)

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BZX84C5V1LT116_null
BZX84C5V1LT116
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库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 5.1 V

容差: ±5.88%

功率 - 最大值: 250 mW

阻抗(最大值)(Zzt): 60 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 2 µA 2 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): -

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装: SSD3

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稳压二极管

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库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 5.1 V

容差: ±5.88%

功率 - 最大值: 250 mW

阻抗(最大值)(Zzt): 60 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 2 µA 2 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): -

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装: SSD3

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¥0.16745

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库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 5.1 V

容差: ±5.88%

功率 - 最大值: 250 mW

阻抗(最大值)(Zzt): 60 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 2 µA 2 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): -

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装: SSD3

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Digi-Key
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¥0.382466

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¥0.325097

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货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 5.1 V

容差: ±5.88%

功率 - 最大值: 250 mW

阻抗(最大值)(Zzt): 60 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 2 µA 2 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): -

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装: SSD3

温度: 150°C(TJ)

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¥3.059728

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货期:7~10 天

系列: -

工作温度: 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供应商器件封装: SSD3

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¥3.059728

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货期:7~10 天

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工作温度: 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供应商器件封装: SSD3

Mouser
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BZX84C5V1LT116_未分类
BZX84C5V1LT116
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未分类

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¥1.873867

+500:

¥1.160803

+1000:

¥0.845729

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 5.1 V

容差: ±5.88%

功率 - 最大值: 250 mW

阻抗(最大值)(Zzt): 60 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 2 µA 2 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): -

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装: SSD3

温度: 150°C(TJ)

BZX84C5V1LT116参数规格

属性 参数值
品牌: Rohm Semiconductor
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 5.1 V
容差: ±5.88%
功率 - 最大值: 250 mW
阻抗(最大值)(Zzt): 60 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 2 µA 2 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): -
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装: SSD3
温度: 150°C(TJ)