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BZV55-C5V6,115_稳压二极管
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DIODE ZENER 5.6V 500MW LLDS

稳压二极管

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¥0.185815

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¥0.16951

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¥0.136908

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¥0.129313

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Nexperia USA Inc.

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 5.6 V

容差: ±5%

功率 - 最大值: 500 mW

阻抗(最大值)(Zzt): 40 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 µA 2 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV 10 mA

工作温度: -65°C # 200°C

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: DO-213AC,MINI-MELF,SOD-80

供应商器件封装: LLDS;MiniMelf

温度: -65°C # 200°C

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BZV55-C5V6,115_稳压二极管
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稳压二极管 BZV55-C5V6,115 SOD-80C

稳压二极管

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库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Nexperia USA Inc.

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 5.6 V

容差: ±5%

功率 - 最大值: 500 mW

阻抗(最大值)(Zzt): 40 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 µA 2 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV 10 mA

工作温度: -65°C # 200°C

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: DO-213AC,MINI-MELF,SOD-80

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DIODE ZENER 5.6V 500MW LLDS

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库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Nexperia USA Inc.

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

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零件状态: 在售

电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 5.6 V

容差: ±5%

功率 - 最大值: 500 mW

阻抗(最大值)(Zzt): 40 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 µA 2 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV 10 mA

工作温度: -65°C # 200°C

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: DO-213AC,MINI-MELF,SOD-80

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DIODE ZENER 5.6V 500MW LLDS

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品牌: Nexperia USA Inc.

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

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零件状态: 在售

电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 5.6 V

容差: ±5%

功率 - 最大值: 500 mW

阻抗(最大值)(Zzt): 40 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 µA 2 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV 10 mA

工作温度: -65°C # 200°C

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品牌: Nexperia USA Inc.

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阻抗(最大值)(Zzt): 40 Ohms

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功率 - 最大值: 500 mW

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功率 - 最大值: 500 mW

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库存: 1000 +

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功率 - 最大值: 500 mW

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不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 µA 2 V

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不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 µA 2 V

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BZV55-C5V6,115参数规格

属性 参数值
品牌: Nexperia USA Inc.
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 5.6 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 500 mW
阻抗(最大值)(Zzt): 40 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 µA 2 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV 10 mA
工作温度: -65°C # 200°C
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-213AC,MINI-MELF,SOD-80
供应商器件封装: LLDS;MiniMelf
温度: -65°C # 200°C