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自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
BZT52C8V2 RHG_稳压二极管

DIODE ZENER 8.2V 500MW SOD123F

稳压二极管

+3000:

¥0.264528

+6000:

¥0.245387

+9000:

¥0.203492

+30000:

¥0.199878

+75000:

¥0.179552

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Taiwan Semiconductor Corporation

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 8.2 V

容差: ±5%

功率 - 最大值: 500 mW

阻抗(最大值)(Zzt): 15 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 630 nA 5 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V 10 mA

工作温度: -65°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOD-123F

供应商器件封装: SOD-123F

温度: -65°C # 150°C(TJ)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
BZT52C8V2 RHG_稳压二极管

DIODE ZENER 8.2V 500MW SOD123F

稳压二极管

+3000:

¥0.647105

+6000:

¥0.600283

+9000:

¥0.497796

+30000:

¥0.488954

+75000:

¥0.439232

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Taiwan Semiconductor Corporation

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 8.2 V

容差: ±5%

功率 - 最大值: 500 mW

阻抗(最大值)(Zzt): 15 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 630 nA 5 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V 10 mA

工作温度: -65°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOD-123F

供应商器件封装: SOD-123F

温度: -65°C # 150°C(TJ)

BZT52C8V2 RHG_稳压二极管

DIODE ZENER 8.2V 500MW SOD123F

稳压二极管

+1:

¥3.91394

+10:

¥2.638286

+100:

¥1.288702

+500:

¥1.074741

+1000:

¥0.746694

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: -65°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SOD-123F

供应商器件封装: SOD-123F

BZT52C8V2 RHG_稳压二极管

DIODE ZENER 8.2V 500MW SOD123F

稳压二极管

+1:

¥3.91394

+10:

¥2.638286

+100:

¥1.288702

+500:

¥1.074741

+1000:

¥0.746694

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: -65°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SOD-123F

供应商器件封装: SOD-123F

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
BZT52C8V2 RHG_二极管与整流器
BZT52C8V2 RHG

DIODE ZENER 8.2V 500MW SOD123F

二极管与整流器

+1:

¥4.474201

+10:

¥3.662217

+100:

¥1.955393

+500:

¥1.292548

+1000:

¥0.87827

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Taiwan Semiconductor Corporation

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 8.2 V

容差: ±5%

功率 - 最大值: 500 mW

阻抗(最大值)(Zzt): 15 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 630 nA 5 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V 10 mA

工作温度: -65°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOD-123F

供应商器件封装: SOD-123F

温度: -65°C # 150°C(TJ)

BZT52C8V2 RHG参数规格

属性 参数值
品牌: Taiwan Semiconductor Corporation
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 8.2 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 500 mW
阻抗(最大值)(Zzt): 15 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 630 nA 5 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V 10 mA
工作温度: -65°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOD-123F
供应商器件封装: SOD-123F
温度: -65°C # 150°C(TJ)