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图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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![]() | BZT52C8V2 RHG | +1: ¥4.474201 +10: ¥3.662217 +100: ¥1.955393 +500: ¥1.292548 +1000: ¥0.87827 |
BZT52C8V2 RHG参数规格
属性 | 参数值 |
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品牌: | Taiwan Semiconductor Corporation |
包装: | 剪切带(CT),卷带(TR) |
封装/外壳: | * |
系列: | |
零件状态: | 在售 |
电压 - 齐纳(标称值)(Vz): | 8.2 V |
容差: | ±5% |
功率 - 最大值: | 500 mW |
阻抗(最大值)(Zzt): | 15 Ohms |
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: | 630 nA 5 V |
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): | 1 V 10 mA |
工作温度: | -65°C # 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | SOD-123F |
供应商器件封装: | SOD-123F |
温度: | -65°C # 150°C(TJ) |