品牌： Diodes Incorporated

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

电压 - 齐纳（标称值）(Vz)： 5.6 V

容差： ±7%

功率 - 最大值： 250 mW

阻抗（最大值）(Zzt)： 40 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 1 µA 2 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 900 mV 10 mA

工作温度： -65°C # 150°C

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 0402（1006 公制）

供应商器件封装： X1-DFN1006-2

温度： -65°C # 150°C

品牌： Diodes Incorporated

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

电压 - 齐纳（标称值）(Vz)： 5.6 V

容差： ±7%

功率 - 最大值： 250 mW

阻抗（最大值）(Zzt)： 40 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 1 µA 2 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 900 mV 10 mA

工作温度： -65°C # 150°C

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 0402（1006 公制）

供应商器件封装： X1-DFN1006-2

温度： -65°C # 150°C

品牌： Diodes Incorporated

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

电压 - 齐纳（标称值）(Vz)： 5.6 V

容差： ±7%

功率 - 最大值： 250 mW

阻抗（最大值）(Zzt)： 40 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 1 µA 2 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 900 mV 10 mA

工作温度： -65°C # 150°C

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 0402（1006 公制）

供应商器件封装： X1-DFN1006-2

温度： -65°C # 150°C

品牌： Diodes Incorporated

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

电压 - 齐纳（标称值）(Vz)： 5.6 V

容差： ±7%

功率 - 最大值： 250 mW

阻抗（最大值）(Zzt)： 40 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 1 µA 2 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 900 mV 10 mA

工作温度： -65°C # 150°C

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 0402（1006 公制）

供应商器件封装： X1-DFN1006-2

温度： -65°C # 150°C

品牌： Diodes Incorporated

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

电压 - 齐纳（标称值）(Vz)： 5.6 V

容差： ±7%

功率 - 最大值： 250 mW

阻抗（最大值）(Zzt)： 40 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 1 µA 2 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 900 mV 10 mA

工作温度： -65°C # 150°C

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 0402（1006 公制）

供应商器件封装： X1-DFN1006-2

温度： -65°C # 150°C

品牌： Diodes Incorporated

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

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电压 - 齐纳（标称值）(Vz)： 5.6 V

容差： ±7%

功率 - 最大值： 250 mW

阻抗（最大值）(Zzt)： 40 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 1 µA 2 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 900 mV 10 mA

工作温度： -65°C # 150°C

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 0402（1006 公制）

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温度： -65°C # 150°C

品牌： Diodes Incorporated

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

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电压 - 齐纳（标称值）(Vz)： 5.6 V

容差： ±7%

功率 - 最大值： 250 mW

阻抗（最大值）(Zzt)： 40 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 1 µA 2 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 900 mV 10 mA

工作温度： -65°C # 150°C

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 0402（1006 公制）

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包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

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电压 - 齐纳（标称值）(Vz)： 5.6 V

容差： ±7%

功率 - 最大值： 250 mW

阻抗（最大值）(Zzt)： 40 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 1 µA 2 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 900 mV 10 mA

工作温度： -65°C # 150°C

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 0402（1006 公制）

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温度： -65°C # 150°C

品牌： Diodes Incorporated

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

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电压 - 齐纳（标称值）(Vz)： 5.6 V

容差： ±7%

功率 - 最大值： 250 mW

阻抗（最大值）(Zzt)： 40 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 1 µA 2 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 900 mV 10 mA

工作温度： -65°C # 150°C

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 0402（1006 公制）

供应商器件封装： X1-DFN1006-2

温度： -65°C # 150°C

品牌： Diodes Incorporated

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

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零件状态： 在售

电压 - 齐纳（标称值）(Vz)： 5.6 V

容差： ±7%

功率 - 最大值： 250 mW

阻抗（最大值）(Zzt)： 40 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 1 µA 2 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 900 mV 10 mA

工作温度： -65°C # 150°C

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 0402（1006 公制）

供应商器件封装： X1-DFN1006-2

温度： -65°C # 150°C