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	BYM11-1000-E3/97 Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB 下载数据手册二极管整流器	+5000：￥0.768243 +10000：￥0.743455	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： SUPERECTIFIER® 零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 1000 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.3 V 1 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 500 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 1000 V 不同 Vr、F 时电容： 15pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-213AB，MELF（玻璃）供应商器件封装： DO-213AB 工作温度 - 结： -65°C # 175°C 温度：

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	BYM11-1000-E3/97 Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB 下载数据手册二极管整流器	+5000：￥1.879327 +10000：￥1.818686	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： SUPERECTIFIER® 零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 1000 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.3 V 1 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 500 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 1000 V 不同 Vr、F 时电容： 15pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-213AB，MELF（玻璃）供应商器件封装： DO-213AB 工作温度 - 结： -65°C # 175°C 温度：
	BYM11-1000-E3/97 Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB 下载数据手册二极管整流器	+1：￥7.083771 +10：￥5.695351 +100：￥3.880488 +500：￥2.910014 +1000：￥2.182368	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	包装： Cut Tape (CT) Alternate Packaging 系列： SUPERECTIFIER® 安装类型： Surface Mount 工作温度-结： -65°C # 175°C 封装/外壳： DO-213AB, MELF (Glass) 供应商器件封装： DO-213AB
	BYM11-1000-E3/97 Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB 下载数据手册二极管整流器	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	包装： Digi-Reel® Alternate Packaging 系列： SUPERECTIFIER® 安装类型： Surface Mount 工作温度-结： -65°C # 175°C 封装/外壳： DO-213AB, MELF (Glass) 供应商器件封装： DO-213AB

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	BYM11-1000-E3/97 Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB 下载数据手册二极管与整流器	+1：￥7.462302 +10：￥5.853762 +100：￥3.515574 +500：￥3.250248 +1000：￥2.205525	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： SUPERECTIFIER® 零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 1000 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.3 V 1 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 500 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 1000 V 不同 Vr、F 时电容： 15pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-213AB，MELF（玻璃）供应商器件封装： DO-213AB 工作温度 - 结： -65°C # 175°C 温度：

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	BYM11-1000-E3/97 授权代理品牌	Diode Switching 1KV 1A 2-Pin DO-213AB T/R 下载数据手册未分类	+10000：￥1.182213 +25000：￥1.126529	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	BYM11-1000-E3/97 授权代理品牌	Diode Switching 1KV 1A 2-Pin DO-213AB T/R 下载数据手册未分类	+10000：￥1.333559	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

BYM11-1000-E3/97参数规格

属性	参数值
品牌:	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	SUPERECTIFIER®
零件状态:	在售
二极管类型:	标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:	1000 V
电流 - 平均整流 (Io):	1A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf):	1.3 V 1 A
速度:	快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
反向恢复时间 (trr):	500 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:	5 µA 1000 V
不同 Vr、F 时电容:	15pF 4V，1MHz
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	DO-213AB，MELF（玻璃）
供应商器件封装:	DO-213AB
工作温度 - 结:	-65°C # 175°C
温度: