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自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
BYG10M-E3/TR3_二极管整流器
授权代理品牌

DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A

二极管整流器

+7500:

¥0.541216

+15000:

¥0.487124

+37500:

¥0.479884

+52500:

¥0.451042

+187500:

¥0.432973

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

二极管类型: 雪崩

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 1000 V

电流 - 平均整流 (Io): 1.5A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.15 V 1.5 A

速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间 (trr): 4 µs

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 µA 1000 V

不同 Vr、F 时电容: -

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: DO-214AC,SMA

供应商器件封装: DO-214AC(SMA)

工作温度 - 结: -55°C # 150°C

温度:

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
BYG10M-E3/TR3_二极管整流器
授权代理品牌

DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A

二极管整流器

+7500:

¥1.323957

+15000:

¥1.191632

+37500:

¥1.173923

+52500:

¥1.103368

+187500:

¥1.059166

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

二极管类型: 雪崩

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 1000 V

电流 - 平均整流 (Io): 1.5A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.15 V 1.5 A

速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间 (trr): 4 µs

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 µA 1000 V

不同 Vr、F 时电容: -

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: DO-214AC,SMA

供应商器件封装: DO-214AC(SMA)

工作温度 - 结: -55°C # 150°C

温度:

BYG10M-E3/TR3_二极管整流器
授权代理品牌

DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A

二极管整流器

+1:

¥5.100315

+10:

¥4.15109

+25:

¥3.796901

+100:

¥2.382981

+250:

¥2.356912

库存: 0

货期:7~10 天

包装: Cut Tape (CT) Alternate Packaging

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度-结: -55°C # 150°C

封装/外壳: DO-214AC, SMA

供应商器件封装: DO-214AC (SMA)

BYG10M-E3/TR3_二极管整流器
授权代理品牌

DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A

二极管整流器

库存: 0

货期:7~10 天

包装: Digi-Reel® Alternate Packaging

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度-结: -55°C # 150°C

封装/外壳: DO-214AC, SMA

供应商器件封装: DO-214AC (SMA)

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
BYG10M-E3/TR3_二极管与整流器
BYG10M-E3/TR3
授权代理品牌
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库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

二极管类型: 雪崩

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 1000 V

电流 - 平均整流 (Io): 1.5A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.15 V 1.5 A

速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间 (trr): 4 µs

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 µA 1000 V

不同 Vr、F 时电容: -

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: DO-214AC,SMA

供应商器件封装: DO-214AC(SMA)

工作温度 - 结: -55°C # 150°C

温度:

BYG10M-E3/TR3参数规格

属性 参数值
品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
二极管类型: 雪崩
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 1000 V
电流 - 平均整流 (Io): 1.5A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.15 V 1.5 A
速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr): 4 µs
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 µA 1000 V
不同 Vr、F 时电容: -
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-214AC,SMA
供应商器件封装: DO-214AC(SMA)
工作温度 - 结: -55°C # 150°C
温度: