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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
BZD27C33P-HE3-18_未分类
BZD27C33P-HE3-18
授权代理品牌

DIODE ZENER 33V 800MW DO219AB

未分类

+1:

¥4.957374

+10:

¥4.138147

+30:

¥3.739036

+100:

¥3.329422

+500:

¥3.087856

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101, BZD27C

零件状态: 在售

电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 33 V

容差: -

功率 - 最大值: 800 mW

阻抗(最大值)(Zzt): 15 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 µA 24 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.2 V 200 mA

工作温度: -65°C # 175°C

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: DO-219AB

供应商器件封装: DO-219AB(SMF)

温度: -65°C # 175°C

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BZD27C33P-HE3-18_稳压二极管
BZD27C33P-HE3-18
授权代理品牌

DIODE ZENER 33V 800MW DO219AB

稳压二极管

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101, BZD27C

零件状态: 在售

电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 33 V

容差: -

功率 - 最大值: 800 mW

阻抗(最大值)(Zzt): 15 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 µA 24 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.2 V 200 mA

工作温度: -65°C # 175°C

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: DO-219AB

供应商器件封装: DO-219AB(SMF)

温度: -65°C # 175°C

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BZD27C33P-HE3-18_稳压二极管
授权代理品牌

DIODE ZENER 33V 800MW DO219AB

稳压二极管

+50000:

¥1.738849

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101, BZD27C

零件状态: 在售

电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 33 V

容差: -

功率 - 最大值: 800 mW

阻抗(最大值)(Zzt): 15 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 µA 24 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.2 V 200 mA

工作温度: -65°C # 175°C

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: DO-219AB

供应商器件封装: DO-219AB(SMF)

温度: -65°C # 175°C

BZD27C33P-HE3-18_稳压二极管
授权代理品牌

DIODE ZENER 33V 800MW DO219AB

稳压二极管

库存: 0

货期:7~10 天

系列: Automotive, AEC-Q101, BZD27C

工作温度: -65°C # 175°C

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: DO-219AB

供应商器件封装: DO-219AB (SMF)

BZD27C33P-HE3-18_稳压二极管
授权代理品牌

DIODE ZENER 33V 800MW DO219AB

稳压二极管

库存: 0

货期:7~10 天

系列: Automotive, AEC-Q101, BZD27C

工作温度: -65°C # 175°C

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: DO-219AB

供应商器件封装: DO-219AB (SMF)

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
BZD27C33P-HE3-18_未分类
BZD27C33P-HE3-18
授权代理品牌

DIODE ZENER 33V 800MW DO219AB

未分类

+50000:

¥1.92378

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101, BZD27C

零件状态: 在售

电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 33 V

容差: -

功率 - 最大值: 800 mW

阻抗(最大值)(Zzt): 15 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 µA 24 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.2 V 200 mA

工作温度: -65°C # 175°C

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: DO-219AB

供应商器件封装: DO-219AB(SMF)

温度: -65°C # 175°C

BZD27C33P-HE3-18参数规格

属性 参数值
品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: Automotive, AEC-Q101, BZD27C
零件状态: 在售
电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 33 V
容差: -
功率 - 最大值: 800 mW
阻抗(最大值)(Zzt): 15 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 µA 24 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.2 V 200 mA
工作温度: -65°C # 175°C
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-219AB
供应商器件封装: DO-219AB(SMF)
温度: -65°C # 175°C