锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

搜索 BZD27C100P R3G5 条相关记录
自营 现货库存
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
BZD27C100P R3G_稳压二极管

DIODE ZENER 100V 1W SUB SMA

稳压二极管

+5:

¥0.879987

+50:

¥0.719355

+150:

¥0.639039

+500:

¥0.5788

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Taiwan Semiconductor Corporation

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 100 V

容差: ±5%

功率 - 最大值: 1 W

阻抗(最大值)(Zzt): 200 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 µA 75 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.2 V 200 mA

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: DO-219AB

供应商器件封装: Sub SMA

温度: -55°C # 175°C(TJ)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
BZD27C100P R3G_稳压二极管

DIODE ZENER 100V 1W SUB SMA

稳压二极管

+5:

¥1.26294

+50:

¥0.959644

+150:

¥0.903937

+500:

¥0.84823

+2500:

¥0.823472

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Taiwan Semiconductor Corporation

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 100 V

容差: ±5%

功率 - 最大值: 1 W

阻抗(最大值)(Zzt): 200 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 µA 75 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.2 V 200 mA

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: DO-219AB

供应商器件封装: Sub SMA

温度: -55°C # 175°C(TJ)

BZD27C100P R3G_稳压二极管

DIODE ZENER 100V 1W SUB SMA

稳压二极管

+5:

¥1.26294

+50:

¥0.959644

+150:

¥0.903937

+500:

¥0.84823

+2500:

¥0.823472

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: DO-219AB

供应商器件封装: Sub SMA

BZD27C100P R3G_稳压二极管

DIODE ZENER 100V 1W SUB SMA

稳压二极管

+5:

¥1.26294

+50:

¥0.959644

+150:

¥0.903937

+500:

¥0.84823

+2500:

¥0.823472

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: DO-219AB

供应商器件封装: Sub SMA

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
BZD27C100P R3G_二极管与整流器
BZD27C100P R3G

DIODE ZENER 100V 1W SUB SMA

二极管与整流器

+:

+:

+:

+:

+:

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Taiwan Semiconductor Corporation

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 100 V

容差: ±5%

功率 - 最大值: 1 W

阻抗(最大值)(Zzt): 200 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 µA 75 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.2 V 200 mA

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: DO-219AB

供应商器件封装: Sub SMA

温度: -55°C # 175°C(TJ)

BZD27C100P R3G参数规格

属性 参数值
品牌: Taiwan Semiconductor Corporation
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 100 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 1 W
阻抗(最大值)(Zzt): 200 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 µA 75 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.2 V 200 mA
工作温度: -55°C # 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-219AB
供应商器件封装: Sub SMA
温度: -55°C # 175°C(TJ)