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自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
BZM55C12-TR_稳压二极管
授权代理品牌

DIODE ZENER 12V 500MW MICROMELF

稳压二极管

+2500:

¥0.265502

+5000:

¥0.246262

+12500:

¥0.204227

+25000:

¥0.200613

+62500:

¥0.180208

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101, BZM55

零件状态: 在售

电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 12 V

容差: -

功率 - 最大值: 500 mW

阻抗(最大值)(Zzt): 90 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA 9.1 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.5 V 200 mA

工作温度: -65°C # 175°C

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 2-SMD,无引线

供应商器件封装: MicroMELF

温度: -65°C # 175°C

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
BZM55C12-TR_稳压二极管
授权代理品牌

DIODE ZENER 12V 500MW MICROMELF

稳压二极管

+2500:

¥0.649487

+5000:

¥0.602421

+12500:

¥0.499594

+25000:

¥0.490752

+62500:

¥0.440835

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101, BZM55

零件状态: 在售

电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 12 V

容差: -

功率 - 最大值: 500 mW

阻抗(最大值)(Zzt): 90 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA 9.1 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.5 V 200 mA

工作温度: -65°C # 175°C

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 2-SMD,无引线

供应商器件封装: MicroMELF

温度: -65°C # 175°C

BZM55C12-TR_稳压二极管
授权代理品牌

DIODE ZENER 12V 500MW MICROMELF

稳压二极管

+1:

¥3.850704

+10:

¥2.652708

+100:

¥1.293552

+500:

¥1.078484

+1000:

¥0.749319

库存: 0

货期:7~10 天

系列: Automotive, AEC-Q101

工作温度: -65°C # 175°C

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 2-SMD, No Lead

供应商器件封装: MicroMELF

BZM55C12-TR_稳压二极管
授权代理品牌

DIODE ZENER 12V 500MW MICROMELF

稳压二极管

+1:

¥3.850704

+10:

¥2.652708

+100:

¥1.293552

+500:

¥1.078484

+1000:

¥0.749319

库存: 0

货期:7~10 天

系列: Automotive, AEC-Q101

工作温度: -65°C # 175°C

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 2-SMD, No Lead

供应商器件封装: MicroMELF

Mouser
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BZM55C12-TR_未分类
BZM55C12-TR
授权代理品牌

DIODE ZENER 12V 500MW MICROMELF

未分类

+1:

¥4.401912

+10:

¥3.032429

+100:

¥1.239058

+1000:

¥0.86408

+2500:

¥0.603225

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101, BZM55

零件状态: 在售

电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 12 V

容差: -

功率 - 最大值: 500 mW

阻抗(最大值)(Zzt): 90 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA 9.1 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.5 V 200 mA

工作温度: -65°C # 175°C

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 2-SMD,无引线

供应商器件封装: MicroMELF

温度: -65°C # 175°C

BZM55C12-TR参数规格

属性 参数值
品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: Automotive, AEC-Q101, BZM55
零件状态: 在售
电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 12 V
容差: -
功率 - 最大值: 500 mW
阻抗(最大值)(Zzt): 90 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA 9.1 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.5 V 200 mA
工作温度: -65°C # 175°C
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 2-SMD,无引线
供应商器件封装: MicroMELF
温度: -65°C # 175°C