锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

搜索 BZM55C9V1-TR5 条相关记录
自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
BZM55C9V1-TR_稳压二极管
授权代理品牌

DIODE ZENER 500MW MICROMELF

稳压二极管

+2500:

¥0.288093

+5000:

¥0.249195

+12500:

¥0.206649

+25000:

¥0.203002

+62500:

¥0.182337

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101, BZM55

零件状态: 在售

电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 9.1 V

容差: -

功率 - 最大值: 500 mW

阻抗(最大值)(Zzt): 50 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA 6.8 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.5 V 200 mA

工作温度: -65°C # 175°C

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 2-SMD,无引线

供应商器件封装: MicroMELF

温度: -65°C # 175°C

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
BZM55C9V1-TR_稳压二极管
授权代理品牌

DIODE ZENER 500MW MICROMELF

稳压二极管

+2500:

¥0.497824

+5000:

¥0.430608

+12500:

¥0.357089

+25000:

¥0.350788

+62500:

¥0.315079

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101, BZM55

零件状态: 在售

电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 9.1 V

容差: -

功率 - 最大值: 500 mW

阻抗(最大值)(Zzt): 50 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA 6.8 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.5 V 200 mA

工作温度: -65°C # 175°C

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 2-SMD,无引线

供应商器件封装: MicroMELF

温度: -65°C # 175°C

BZM55C9V1-TR_稳压二极管
授权代理品牌

DIODE ZENER 500MW MICROMELF

稳压二极管

+1:

¥2.718325

+10:

¥2.261153

+25:

¥1.892942

+100:

¥0.92423

+250:

¥0.909403

库存: 0

货期:7~10 天

系列: Automotive, AEC-Q101

工作温度: -65°C # 175°C

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 2-SMD, No Lead

供应商器件封装: MicroMELF

BZM55C9V1-TR_稳压二极管
授权代理品牌

DIODE ZENER 500MW MICROMELF

稳压二极管

库存: 0

货期:7~10 天

系列: Automotive, AEC-Q101

工作温度: -65°C # 175°C

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 2-SMD, No Lead

供应商器件封装: MicroMELF

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
BZM55C9V1-TR_二极管与整流器
BZM55C9V1-TR
授权代理品牌

DIODE ZENER 500MW MICROMELF

二极管与整流器

+1:

¥4.277571

+10:

¥2.946771

+100:

¥1.204057

+1000:

¥0.839673

+2500:

¥0.665401

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101, BZM55

零件状态: 在售

电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 9.1 V

容差: -

功率 - 最大值: 500 mW

阻抗(最大值)(Zzt): 50 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA 6.8 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.5 V 200 mA

工作温度: -65°C # 175°C

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 2-SMD,无引线

供应商器件封装: MicroMELF

温度: -65°C # 175°C

BZM55C9V1-TR参数规格

属性 参数值
品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: Automotive, AEC-Q101, BZM55
零件状态: 在售
电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 9.1 V
容差: -
功率 - 最大值: 500 mW
阻抗(最大值)(Zzt): 50 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA 6.8 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.5 V 200 mA
工作温度: -65°C # 175°C
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 2-SMD,无引线
供应商器件封装: MicroMELF
温度: -65°C # 175°C