品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： Automotive, AEC-Q101, BZM55

零件状态： 在售

电压 - 齐纳（标称值）(Vz)： 8.2 V

容差： -

功率 - 最大值： 500 mW

阻抗（最大值）(Zzt)： 50 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 100 nA 6.2 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.5 V 200 mA

工作温度： -65°C # 175°C

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 2-SMD，无引线

供应商器件封装： MicroMELF

温度： -65°C # 175°C

品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： Automotive, AEC-Q101, BZM55

零件状态： 在售

电压 - 齐纳（标称值）(Vz)： 8.2 V

容差： -

功率 - 最大值： 500 mW

阻抗（最大值）(Zzt)： 50 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 100 nA 6.2 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.5 V 200 mA

工作温度： -65°C # 175°C

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 2-SMD，无引线

供应商器件封装： MicroMELF

温度： -65°C # 175°C

品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： Automotive, AEC-Q101, BZM55

零件状态： 在售

电压 - 齐纳（标称值）(Vz)： 8.2 V

容差： -

功率 - 最大值： 500 mW

阻抗（最大值）(Zzt)： 50 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 100 nA 6.2 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.5 V 200 mA

工作温度： -65°C # 175°C

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 2-SMD，无引线

供应商器件封装： MicroMELF

温度： -65°C # 175°C

品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： Automotive, AEC-Q101, BZM55

零件状态： 在售

电压 - 齐纳（标称值）(Vz)： 8.2 V

容差： -

功率 - 最大值： 500 mW

阻抗（最大值）(Zzt)： 50 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 100 nA 6.2 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.5 V 200 mA

工作温度： -65°C # 175°C

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 2-SMD，无引线

供应商器件封装： MicroMELF

温度： -65°C # 175°C

品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： Automotive, AEC-Q101, BZM55

零件状态： 在售

电压 - 齐纳（标称值）(Vz)： 8.2 V

容差： -

功率 - 最大值： 500 mW

阻抗（最大值）(Zzt)： 50 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 100 nA 6.2 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.5 V 200 mA

工作温度： -65°C # 175°C

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 2-SMD，无引线

供应商器件封装： MicroMELF

温度： -65°C # 175°C