品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： BZT52-G

零件状态： 在售

电压 - 齐纳（标称值）(Vz)： 5.1 V

容差： ±2%

功率 - 最大值： 410 mW

阻抗（最大值）(Zzt)： 30 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 100 nA 800 mV

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： -

工作温度： -55°C # 150°C

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOD-123

供应商器件封装： SOD-123

温度： -55°C # 150°C

品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： BZT52-G

零件状态： 在售

电压 - 齐纳（标称值）(Vz)： 5.1 V

容差： ±2%

功率 - 最大值： 410 mW

阻抗（最大值）(Zzt)： 30 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 100 nA 800 mV

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： -

工作温度： -55°C # 150°C

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOD-123

供应商器件封装： SOD-123

温度： -55°C # 150°C