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图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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BZX84C30-E3-08 授权代理品牌 | +1: ¥2.155776 +10: ¥1.525627 +100: ¥0.746232 +1000: ¥0.696482 +3000: ¥0.514071 |
BZX84C30-E3-08参数规格
属性 | 参数值 |
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品牌: | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
包装: | 剪切带(CT),卷带(TR) |
封装/外壳: | * |
系列: | BZX84 |
零件状态: | 在售 |
电压 - 齐纳(标称值)(Vz): | 30 V |
容差: | ±5% |
功率 - 最大值: | 300 mW |
阻抗(最大值)(Zzt): | 80 Ohms |
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: | 50 nA 21 V |
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): | - |
工作温度: | -55°C # 150°C |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
供应商器件封装: | SOT-23-3 |
温度: | -55°C # 150°C |