品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

二极管配置： 1 对共阳极

二极管类型： 肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 40 V

电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）： 200mA

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1 V 40 mA

速度： 小信号 =< 200mA（Io），任意速度

反向恢复时间 (trr)： 5 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 100 nA 30 V

工作温度 - 结： 125°C（最大）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装： SOT-23-3

温度：

品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

二极管配置： 1 对共阳极

二极管类型： 肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 40 V

电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）： 200mA

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1 V 40 mA

速度： 小信号 =< 200mA（Io），任意速度

反向恢复时间 (trr)： 5 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 100 nA 30 V

工作温度 - 结： 125°C（最大）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装： SOT-23-3

温度：

品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

二极管配置： 1 对共阳极

二极管类型： 肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 40 V

电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）： 200mA

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1 V 40 mA

速度： 小信号 =< 200mA（Io），任意速度

反向恢复时间 (trr)： 5 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 100 nA 30 V

工作温度 - 结： 125°C（最大）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装： SOT-23-3

温度：

品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

二极管配置： 1 对共阳极

二极管类型： 肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 40 V

电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）： 200mA

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1 V 40 mA

速度： 小信号 =< 200mA（Io），任意速度

反向恢复时间 (trr)： 5 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 100 nA 30 V

工作温度 - 结： 125°C（最大）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装： SOT-23-3

温度：

品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

二极管配置： 1 对共阳极

二极管类型： 肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 40 V

电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）： 200mA

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1 V 40 mA

速度： 小信号 =< 200mA（Io），任意速度

反向恢复时间 (trr)： 5 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 100 nA 30 V

工作温度 - 结： 125°C（最大）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装： SOT-23-3

温度：