品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： BZD27C

零件状态： 在售

电压 - 齐纳（标称值）(Vz)： 12 V

容差： -

功率 - 最大值： 800 mW

阻抗（最大值）(Zzt)： 7 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 3 µA 9.1 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.2 V 200 mA

工作温度： -65°C # 175°C

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： DO-219AB

供应商器件封装： DO-219AB（SMF）

温度： -65°C # 175°C

品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： BZD27C

零件状态： 在售

电压 - 齐纳（标称值）(Vz)： 12 V

容差： -

功率 - 最大值： 800 mW

阻抗（最大值）(Zzt)： 7 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 3 µA 9.1 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.2 V 200 mA

工作温度： -65°C # 175°C

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： DO-219AB

供应商器件封装： DO-219AB（SMF）

温度： -65°C # 175°C

品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： BZD27C

零件状态： 在售

电压 - 齐纳（标称值）(Vz)： 12 V

容差： -

功率 - 最大值： 800 mW

阻抗（最大值）(Zzt)： 7 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 3 µA 9.1 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.2 V 200 mA

工作温度： -65°C # 175°C

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： DO-219AB

供应商器件封装： DO-219AB（SMF）

温度： -65°C # 175°C

品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： BZD27C

零件状态： 在售

电压 - 齐纳（标称值）(Vz)： 12 V

容差： -

功率 - 最大值： 800 mW

阻抗（最大值）(Zzt)： 7 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 3 µA 9.1 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.2 V 200 mA

工作温度： -65°C # 175°C

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： DO-219AB

供应商器件封装： DO-219AB（SMF）

温度： -65°C # 175°C

品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： BZD27C

零件状态： 在售

电压 - 齐纳（标称值）(Vz)： 12 V

容差： -

功率 - 最大值： 800 mW

阻抗（最大值）(Zzt)： 7 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 3 µA 9.1 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.2 V 200 mA

工作温度： -65°C # 175°C

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： DO-219AB

供应商器件封装： DO-219AB（SMF）

温度： -65°C # 175°C

品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： BZD27C

零件状态： 在售

电压 - 齐纳（标称值）(Vz)： 12 V

容差： -

功率 - 最大值： 800 mW

阻抗（最大值）(Zzt)： 7 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 3 µA 9.1 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.2 V 200 mA

工作温度： -65°C # 175°C

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： DO-219AB

供应商器件封装： DO-219AB（SMF）

温度： -65°C # 175°C