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| 图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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![]() | BZT55C6V2-GS08 授权代理品牌 | +: ¥ +: ¥ +: ¥ +: ¥ +: ¥ |
BZT55C6V2-GS08参数规格
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| 包装: | 剪切带(CT),卷带(TR) |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | Automotive, AEC-Q101, BZT55 |
| 零件状态: | 在售 |
| 电压 - 齐纳(标称值)(Vz): | 6.2 V |
| 容差: | ±5% |
| 功率 - 最大值: | 500 mW |
| 阻抗(最大值)(Zzt): | 10 Ohms |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: | 100 nA 2 V |
| 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): | 1.5 V 200 mA |
| 工作温度: | -65°C # 175°C |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | SOD-80 变式 |
| 供应商器件封装: | SOD-80 QuadroMELF |
| 温度: | -65°C # 175°C |



