品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： Automotive, AEC-Q101, BZT55

零件状态： 在售

电压 - 齐纳（标称值）(Vz)： 3.3 V

容差： ±5%

功率 - 最大值： 500 mW

阻抗（最大值）(Zzt)： 90 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 2 µA 1 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.5 V 200 mA

工作温度： -65°C # 175°C

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOD-80 变式

供应商器件封装： SOD-80 QuadroMELF

温度： -65°C # 175°C

品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： Automotive, AEC-Q101, BZT55

零件状态： 在售

电压 - 齐纳（标称值）(Vz)： 3.3 V

容差： ±5%

功率 - 最大值： 500 mW

阻抗（最大值）(Zzt)： 90 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 2 µA 1 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.5 V 200 mA

工作温度： -65°C # 175°C

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOD-80 变式

供应商器件封装： SOD-80 QuadroMELF

温度： -65°C # 175°C

品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： Automotive, AEC-Q101, BZT55

零件状态： 在售

电压 - 齐纳（标称值）(Vz)： 3.3 V

容差： ±5%

功率 - 最大值： 500 mW

阻抗（最大值）(Zzt)： 90 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 2 µA 1 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.5 V 200 mA

工作温度： -65°C # 175°C

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOD-80 变式

供应商器件封装： SOD-80 QuadroMELF

温度： -65°C # 175°C

品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： Automotive, AEC-Q101, BZT55

零件状态： 在售

电压 - 齐纳（标称值）(Vz)： 3.3 V

容差： ±5%

功率 - 最大值： 500 mW

阻抗（最大值）(Zzt)： 90 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 2 µA 1 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.5 V 200 mA

工作温度： -65°C # 175°C

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOD-80 变式

供应商器件封装： SOD-80 QuadroMELF

温度： -65°C # 175°C

品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： Automotive, AEC-Q101, BZT55

零件状态： 在售

电压 - 齐纳（标称值）(Vz)： 3.3 V

容差： ±5%

功率 - 最大值： 500 mW

阻抗（最大值）(Zzt)： 90 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 2 µA 1 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.5 V 200 mA

工作温度： -65°C # 175°C

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOD-80 变式

供应商器件封装： SOD-80 QuadroMELF

温度： -65°C # 175°C

品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： Automotive, AEC-Q101, BZT55

零件状态： 在售

电压 - 齐纳（标称值）(Vz)： 3.3 V

容差： ±5%

功率 - 最大值： 500 mW

阻抗（最大值）(Zzt)： 90 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 2 µA 1 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.5 V 200 mA

工作温度： -65°C # 175°C

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOD-80 变式

供应商器件封装： SOD-80 QuadroMELF

温度： -65°C # 175°C

品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： Automotive, AEC-Q101, BZT55

零件状态： 在售

电压 - 齐纳（标称值）(Vz)： 3.3 V

容差： ±5%

功率 - 最大值： 500 mW

阻抗（最大值）(Zzt)： 90 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 2 µA 1 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.5 V 200 mA

工作温度： -65°C # 175°C

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOD-80 变式

供应商器件封装： SOD-80 QuadroMELF

温度： -65°C # 175°C

品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： Automotive, AEC-Q101, BZT55

零件状态： 在售

电压 - 齐纳（标称值）(Vz)： 3.3 V

容差： ±5%

功率 - 最大值： 500 mW

阻抗（最大值）(Zzt)： 90 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 2 µA 1 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.5 V 200 mA

工作温度： -65°C # 175°C

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOD-80 变式

供应商器件封装： SOD-80 QuadroMELF

温度： -65°C # 175°C