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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
BAV199HMT116_null
BAV199HMT116
授权代理品牌

DIODE ARR GEN PUR 80V 215MA SSD3

+1:

¥1.303258

+100:

¥0.738893

+1500:

¥0.468461

+3000:

¥0.349056

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

二极管配置: 1 对串联

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 80 V

电流 - 平均整流 (Io)(每二极管): 215mA(DC)

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.25 V 150 mA

速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间 (trr): 3 µs

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 nA 75 V

工作温度 - 结: 150°C(最大)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装: SSD3

温度:

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
BAV199HMT116_二极管阵列整流器
授权代理品牌

DIODE ARR GEN PUR 80V 215MA SSD3

二极管阵列整流器

+3000:

¥0.500292

+6000:

¥0.464058

+9000:

¥0.384869

+30000:

¥0.37802

+75000:

¥0.339546

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

二极管配置: 1 对串联

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 80 V

电流 - 平均整流 (Io)(每二极管): 215mA(DC)

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.25 V 150 mA

速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间 (trr): 3 µs

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 nA 75 V

工作温度 - 结: 150°C(最大)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装: SSD3

温度:

BAV199HMT116_二极管阵列整流器
授权代理品牌

DIODE ARR GEN PUR 80V 215MA SSD3

二极管阵列整流器

+1:

¥2.988299

+10:

¥2.042004

+100:

¥0.9961

+500:

¥0.830748

库存: 0

货期:7~10 天

包装: Cut Tape (CT) Alternate Packaging

系列: -

工作温度-结: 150°C (Max)

封装/外壳: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供应商器件封装: SSD3

BAV199HMT116_二极管阵列整流器
授权代理品牌

DIODE ARR GEN PUR 80V 215MA SSD3

二极管阵列整流器

+1:

¥2.988299

+10:

¥2.042004

+100:

¥0.9961

+500:

¥0.830748

库存: 0

货期:7~10 天

包装: Digi-Reel® Alternate Packaging

系列: -

工作温度-结: 150°C (Max)

封装/外壳: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供应商器件封装: SSD3

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
BAV199HMT116_null
BAV199HMT116
授权代理品牌

DIODE ARR GEN PUR 80V 215MA SSD3

+1:

¥3.799379

+10:

¥2.596242

+100:

¥1.060661

+1000:

¥0.949845

+3000:

¥0.585738

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

二极管配置: 1 对串联

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 80 V

电流 - 平均整流 (Io)(每二极管): 215mA(DC)

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.25 V 150 mA

速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间 (trr): 3 µs

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 nA 75 V

工作温度 - 结: 150°C(最大)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装: SSD3

温度:

BAV199HMT116参数规格

属性 参数值
品牌: Rohm Semiconductor
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
二极管配置: 1 对串联
二极管类型: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 80 V
电流 - 平均整流 (Io)(每二极管): 215mA(DC)
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.25 V 150 mA
速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr): 3 µs
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 nA 75 V
工作温度 - 结: 150°C(最大)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装: SSD3
温度: